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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。常规上，在使用填充材料在衬底中形成伪通孔的情况下，难以获得高质量的导电材料通孔。根据本发明，在形成贯穿孔的过程中，使用各向同性蚀刻以形成近似于烧瓶状的孔，从而形成的贯穿孔在与用于形成功能器件的表面相反...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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