溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法技术

本发明专利技术属于光电半导体纳米材料合成技术领域,涉及无机有机杂化材料的合成方法，特别涉及一种溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法。本发明专利技术以铟盐和硒粉为反应物，以二乙烯三胺(DETA)，乙二醇(EG)为溶剂，在内衬为聚四氟乙烯的反应釜中经溶剂热反应，洗涤分离后真空干燥而成。从生长机理上推断，该方法适合其他无机有机杂化材料的合成。所制备的纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料，由大面积三维花状结构组成，每个花的直径在2~3微米，是由长方形纳米片通过一个点向四周辐射而构成，纳米片的表面光滑，厚度在30nm左右；该花状结构没有团聚现象，分散性很好，结晶性高。本发明专利技术所公开的制备方法绿色环保、操作简单、可控性强、成本低廉、得到的产物结晶性好、产量高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电半导体纳米材料合成
，涉及无机有机杂化材料的合成方法，特别涉及一种溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法。
技术介绍
随着纳米技术的不断发展，纳米技术已被广泛用于光、电、磁和催化等多方面领域，具有新颖复杂结构等特殊形貌的纳米材料能够提供更多的机会去探索其新的性质。因而，科学家们正致力于研究对纳米材料的组成、结构、形态、尺寸和排列等的控制，以制备符合各种预期功能的纳米材料。由纳米基本单元(如纳米颗粒、纳米线、纳米片、纳米带、纳米棒)组成的不同形态及微观结构的聚集体，以及由此构筑成的纳米功能材料和纳米器件，因其独特的性能而备受人们的关注。但是，直接在结构单元的接触点上组装成为拥有可控形 貌和均匀大小尺寸的三维结构是很困难的。过去几年，人们合成了各种规则的超结构，其中包括树状结构、蜂窝状结构，鸟巢状结构、花状结构等等。其中，以三维花状结构为代表的具有高度规整尺寸和形貌的材料的可控制备和生长机制的研究，一直是材料科学界的研究热点之一 O无机有机杂化材料作为一种新型材料，其独特的性能被广泛应用于光电二极管和太阳能电池等高科技装置上，因此引起了人们本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溶剂热法合成纳米花球状In2Se3(DETA)杂化材料的方法，其特征在于，以铟盐和硒粉为反应物，以二乙烯三胺、乙二醇为溶剂，在内衬为聚四氟乙烯的反应釜中经溶剂热反应，洗涤分离后真空干燥而成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施伟东，刘裴，于帅，范伟强，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：