控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法技术

本发明专利技术公开了一种控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶的方法，首先将按计量配比的金属氯化物盐类和单质硫与硒混合于三颈烧瓶内，倒入醇类溶剂和少量油胺；然后将三颈烧瓶放于磁力搅拌电热套内搅拌、加热，同时通氮气或氩气作为保护气，经络合、反应，冷却后加乙醇离心分离沉淀；之后用清洗剂清洗晶粒表面的油胺，真空干燥得到单分散的不含第二相的Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶。操作简单、成本低、环保无污染、可用于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种控制晶相合成带隙可调的单分散Cu2ZnSn(S1？xSex)4纳米晶的方法，其特征在于，包括步骤：前驱物络合：将按计量配比的金属氯化物盐类和单质硫与硒混合于三颈烧瓶内，倒入醇类溶剂和少量油胺，将三颈烧瓶放于磁力搅拌电热套内搅拌、加热，同时通氮气或氩气作为保护气，加热至一定温度进行络合，络合后得到反应前驱液；溶剂热制备：在搅拌并通入氮气或氩气作为保护气条件下，使上述络合后的反应前驱液升温至一定温度反应一段时间，反应后冷却，向冷却后得到的具有流动性的反应液中加入乙醇后离心分离沉淀得到Cu2ZnSn(S1？xSex)4纳米晶晶粒；清洗：用清洗剂清洗晶粒表面的油胺，得到单分散的不含第二相的Cu2Z...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：季书林，叶长辉，邱晓东，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：