一种高绝缘耐压功率半导体模块制造技术

技术编号:8149849 阅读:192 留言:0更新日期:2012-12-28 21:12
本实用新型专利技术的名称为一种高绝缘耐压功率半导体模块。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有的功率半导体模块绝缘耐压达不到4500V及以上问题。它的主要特征是:在散热底板上与芯片对应的部位设有圆形凸台,在凸台周围设有底板绝缘膜,凸台直径小于绝缘导热片的直径,凸台高度大于底板绝缘膜的厚度;在芯片与压板之间设有绝缘板、压板绝缘膜;在外壳内设有固定门极片的门极块;底板绝缘膜、绝缘导热片、电极下端、芯片、压块位于硅凝胶层或硅橡胶层之中。本实用新型专利技术具有绝缘耐压达到4500V以上,能够满足软启动、变频和无功补偿等设备中对模块有高绝缘耐压需求的特点,主要用于高绝缘耐压功率半导体模块。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于功率半导体模块制造
特别是涉及ー种应用于电カ电子装置,对模块绝缘要求高的功率半导体模块。
技术介绍
目前,功率半导体模块大都由外壳、散热底板、电极、芯片、绝缘导热片、压块、压板、紧固螺钉、门极片和外壳内填充的硅凝(橡)胶层构成,绝缘耐压一般在2500V (交流有效值)。随着环保节能设备的大量应用,进线电压不断提高,有380V、660V、1100V系统,在电机软启动、变频、无功补偿设备制造领域对半导体器件的耐压要求越来越高,功率半导体模块作为设备中的关键部件,2200V重复峰值电压已不能满足需求,如果采用模块串联技木,需要考虑均压等问题,成本増加,设备体积增大,所以目前通常采用重复峰值电压2500V以上高压模块就能很好地解决上述问题,但这种模块制造技术芯片与散热底板之间绝缘強度 往往达不到要求,压板、紧固螺钉、电极、压块部位的绝缘强度也不够,目前采取的措施是增加绝缘导热层厚度或在关键部位涂抹硅橡胶材料来解決,但这种方法热阻会増加,通流能力就降低,另外不能保证稳定的成品率。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述不足之处而提供一种使得功率半导体模块绝缘耐压达到4500V以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高绝缘耐压功率半导体模块,包括外壳(2)、散热底板(1)、电极(5)、芯片(6)、绝缘导热片(4)、压块(7)、压板(11)、紧固螺钉(12)、门极片(14)、辅助阴极、门极引线、螺母、环氧层和外壳内填充的硅凝胶层或硅橡胶层(16),其特征是:在所述的散热底板(1)上与芯片(6)对应的部位设有圆形凸台,在凸台周围的散热底板(1)表面上设有底板绝缘膜(3),该凸台直径小于绝缘导热片(4)的直径,凸台高度大于底板绝缘膜(3)的厚度;在芯片(6)与压板(11)之间设有绝缘板(9)、压板绝缘膜(10);在外壳(2)内设有固定门极片(14)的门极块(15);底板绝缘膜(3)、绝缘导热片(4)、电极(...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:李新安陈崇林
申请(专利权)人:湖北台基半导体股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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