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本实用新型的名称为一种高绝缘耐压功率半导体模块。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有的功率半导体模块绝缘耐压达不到4500V及以上问题。它的主要特征是:在散热底板上与芯片对应的部位设有圆形凸台,在凸台周围设有底板绝缘膜,凸台直径小于...该专利属于湖北台基半导体股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过湖北台基半导体股份有限公司授权不得商用。
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本实用新型的名称为一种高绝缘耐压功率半导体模块。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有的功率半导体模块绝缘耐压达不到4500V及以上问题。它的主要特征是:在散热底板上与芯片对应的部位设有圆形凸台,在凸台周围设有底板绝缘膜,凸台直径小于...