【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及层叠膜及其使用。
技术介绍
近年来,进ー步需要半导体装置及其封装的薄型化、小型化。因此,作为半导体装置及其封装,已在广泛地利用通过倒装片接合将半导体芯片等半导体元件安装(倒装片连接)在基板上而得的倒装片型的半导体装置。该倒装片连接是以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的方式进行固定的连接方式。在倒装片连接后,为了保护半导体元件表面、确保半导体元件与基板之间的连接可靠性,需要向半导体元件与基板之间的空间填充密封树脂。作为这样的密封树脂,虽然广泛使用的是液态的密封树脂,但是利用液态的密封树脂难以进行注入位置、注入量的调节。因此,还提出了使用片状的密封树脂对半导体元·件与基板之间的空间进行填充的技术(专利文献I)。进而,以半导体元件的高密度集成化为目的,开发了使半导体元件在其厚度方向上层叠多段的三维安装技术。作为用于三维安装的半导体元件,例如,可举出使形成于半导体元件的双面的焊盘等连接用构件通过通孔进行电连接的、被称为TSV(Through SiliconVia)形式的半导体元件等。通过按照下段(基板侧)的半导体元件中的连接用构件与上段的半导体元件 ...
【技术保护点】
一种层叠膜,其是用于对通过连接用构件而电连接的半导体元件间的空间进行填充的层叠膜,所述层叠膜具备在基材上层叠有粘合剂层的切割片和层叠在所述粘合剂层上的固化性膜,所述固化性膜在50~200℃下的最低熔融粘度为1×102Pa·s以上1×104Pa·s以下。
【技术特征摘要】
2011.06.22 JP 2011-1384381.一种层叠膜,其是用于对通过连接用构件而电连接的半导体元件间的空间进行填充的层叠膜, 所述层叠膜具备在基材上层叠有粘合剂层的切割片和层叠在所述粘合剂层上的固化性膜, 所述固化性膜在50 200°C下的最低熔融粘度为I X IO2Pa *s以上I X IO4Pa *s以下。2.根据权利要求I所述的层叠膜,其中,所述固化性膜由含有环氧树脂和酚醛树脂的胶粘剂组合物构成。3.根据权利要求2所述的层叠膜,其中,所述胶粘剂组合物进一步包含丙烯酸系共聚 物...
【专利技术属性】
技术研发人员:小田高司,高本尚英,千岁裕之,
申请(专利权)人:日东电工株式会社,
类型:发明
国别省市:
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