多晶透明陶瓷制品及其制造方法技术

技术编号:8127539 阅读:221 留言:0更新日期:2012-12-26 22:28
提出一种包括镥的多晶透明陶瓷制品。该制品包括结构式为ABO3、有A型晶格位置和B型晶格位置的氧化物。晶格位置A除镥之外还可进一步包括许多元素。B型晶格位置包括铝。提供包括镥基制品的图像装置、激光集合器和闪烁体。同时提供制造上述制品的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般性地涉及多晶透明陶瓷制品,特别涉及用于光学应用的镥基组合物。
技术介绍
陶瓷材料,如镥基光学组合物,在闪烁体、激光和图像技术中有许多应用。光学应用经常需要材料的透明加工过的型态以减少由于散射和吸收的光损失。为此,加工过的型态一般要求有单相微结构。而且,在许多应用中要求材料在特殊波长范围内发射光或其它电磁辐射。通过一种或更多种掺杂物的选择性使用和通过调整材料中掺杂物的浓度,可以调节或“调谐”光学材料中例如发射的波长范围和光转化效率的光学特性。 当前应用经常使用单晶光学材料,它的制造相当昂贵和耗时。而且,由于在晶体形成期间掺杂的难度,单晶中的光学可调谐性经常难于实现。一个替代的方法是使用多晶材料。与单晶材料相比多晶材料更容易掺杂。多晶材料的性能和应用部分取决于可以继而通过加工控制的组成材料的晶体的尺寸、形状和形态。获得透明形态的多晶陶瓷材料的加工可能需要暴露于高温,期间想要的微结构可能由于诸如晶粒长大、相变和其它相关的机理等热激活过程而劣化。因此,需要解决这些问题以提供一种有效、经济和坚固的多晶光学组合物。
技术实现思路
本专利技术的实施方案针对这些和其它需要。根据一种实施方案,制品包含含有A型晶格位置和B型晶格位置的具有多晶结构的氧化物。该氧化物有ABO3的结构式,其中A表示占据A型晶格位置的材料,B表示占据B型晶格位置的材料。这里,A包括包括镥在内的许多元素,镥以至少为氧化物的约O. 5摩尔分数的量存在,B包括铝。在这里给出的其它实施方案包括具有包含所述制品的发射介质的激光集合器,和包含含所述制品的闪烁体的图像装置。附图说明当参考相应附图阅读下列详细描述时,本专利技术的这些和其它特征、方面和优点将变得更透彻,其中图I 是 Lua8GdYatl5AlO3 的 XRD 图;和图2是有大约200nm晶粒尺寸的Lua8Gdai5Yatl5AlO3的典型SEM照片。具体实施例方式作为这里使用的冠词“一个”、“一种”和“该”应该被理解成表示“至少一个”。作为这里使用的术语“约”应该被理解成表示正或负O. 001% (+/-0. 001% )0作为这里使用的术语“辐射”指电磁辐射的整个光谱。作为这里使用的术语“光”指电磁光谱的可见区。根据一个实施方案,提供了包括有A型晶格位置和B型晶格位置的多晶结构的氧化物的制品。该氧化物有ABO3的结构式,A表示占据A型晶格位置的材料,B表示占据B型晶格位置的材料。在一个实施方案中,A除了镥(Lu)之外还包括许多元素,B包括铝(Al)。镥以至少为氧化物的约O. 5摩尔分数的量存在。除非特别指明,此后将用到的术语“ 制品”应该被理解成表示上面描述过的制品。除非特别指明,此后术语“氧化物”应该被理解成表示上面描述过的氧化物。氧化物中镥的高浓度有助于给予制品所需程度的密度。在许多光学应用中,高密度有助于材料的辐射阻止能力,这提高例如闪烁体等产品的性能。在某些实施方案中,Lu的浓度在约O. 5摩尔分数到约O. 995摩尔分数的范围内。在特殊的实施方案中,Lu以在约O. 8到约O. 995摩尔分数的范围内的量存在。在一个实施方案中,具有所述氧化物的所述制品在A型晶格位置除镥之外还包括稀土元素(RE)。在特殊的实施方案中,稀土元素包括钆(Gd)、铽(Tb)和镱(Yb)中的一个或多个。下面将讨论,RE的加入可以帮助稳定想要的晶体结构。在一个实施方案中,RE的浓度大于约O. 005摩尔分数。在某些实施方案中,RE以约O. 005摩尔分数到约O. 5摩尔分数的量存在。在某些实施方案中,含有氧化物的制品进一步包括例如钇(Y)的过渡金属在A型晶格位置。钇的加入可以帮助获得想要的晶体结构。更进一步,钇的存在可以降低制品的进一步加工需要的温度。在一个实施方案中,钇的浓度大于约O. 005摩尔分数。在某些实施方案中,钇的浓度在约O. 005摩尔分数到约O. 5摩尔分数的范围内。在具体的实施例中,除了已经存在于晶格中的镥,含有氧化物的制品还有浓度在约O. 0025摩尔分数到约O. 5摩尔分数范围内的钇在A型晶格位置,和浓度在约O. 0025摩尔分数到约O. 5摩尔分数范围内的另一种稀土元素在A型晶格位置。在特殊的实施方案中,钇的浓度在约O. 0025摩尔分数到约O. I摩尔分数的范围内。氧化物中镥的浓度可以在约O. 5到约O. 995摩尔分数的范围内。如上面描述过的,可以混合在ABO3中的合适稀土元素包括 Gd、Tb、Yb 和它们的组合。示例性组合物是 Lua5Ya25Gda25AlO3 和 Lu0.995Y0.0025Gd0.0025A103。制品的另一个示例性组合物包括Lua8Yaci5Gda 15A103。在一个实施方案中,结构式为ABO3的多晶氧化物有钙钛矿结构。有钙钛矿结构的材料是某些光学应用想要的。例如,在闪烁体探测器中具有钙钛矿结构的基质材料的使用与例如具有石榴石结构的基质材料相比能改善分散于基质材料中的掺杂物的衰减时间。而且,具有钙钛矿结构的材料改善闪烁体的阻止能力。钙钛矿结构通常由有A型晶格位置和B型晶格位置的通式为ABX3的组合物形成。这里用到的“A位置”或“A晶格位置”指具有阴离子配位大于9 (例如,举例来说,那些有配位数12的位置)的钙钛矿晶格内的位置,“B位置”或“B晶格位置”指阴离子配位为6的钙钛矿晶格内的位置。钙钛矿结构的形成和稳定性大部分取决于组分离子的离子尺寸。作为众所周知的镧系收缩现象的结果,镥阳离子有不易于使其本身形成钙钛矿结构的尺寸。在A型晶格位置的其它元素的存在给予钙钛矿结构稳定性。确定钙钛矿结构稳定性的因素是所谓的容许系数,它由方程式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法,所述方法包括:提供至少一种金属前体,其中所述至少一种金属前体选自氧化物、硝酸盐、醋酸盐和碳酸盐;形成所述至少一种金属前体的均匀化的前体溶液;调整所述均匀化的前体溶液的pH至约0.5到约5的范围;往所述均匀化的前体溶液中加入燃料,其中所述燃料包括甘氨酸、尿素和肼;从所述均匀化的前体溶液中除去水以留下反应浓缩物;使所述反应浓缩物燃烧以形成包含A型晶格位置和B型晶格位置的氧化物粉末,所述氧化物具有式ABO3,其中A表示占据A型晶格位置的材料,B表示占据B型晶格位置的材料,其中A包括多种元素,所述多种元素包括镥,其中所述镥以至少为所述氧化物的约0.5摩尔分数的量存在;且其中B包括铝;和在晶粒生长添加剂的存在下对所述氧化物粉末进行烧结以形成烧结的陶瓷。

【技术特征摘要】
2005.12.13 US 11/3025551.ー种方法,所述方法包括 提供至少ー种金属前体,其中所述至少ー种金属前体选自氧化物、硝酸盐、醋酸盐和碳酸盐; 形成所述至少ー种金属前体的均匀化的前体溶液; 调整所述均匀化的前体溶液的PH至约O. 5到约5的范围; 往所述均匀化的前体溶液中加入燃料,其中所述燃料包括甘氨酸、尿素和肼; 从所述均匀化的前体溶液中除去水以留下反应浓缩物; 使所述反应浓缩物燃烧以形成包含A型晶格位置和B型晶格位置...

【专利技术属性】
技术研发人员:KM克里斯纳VS芬卡塔拉马尼M马诺哈兰
申请(专利权)人:通用电气公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1