一种多晶硅还原炉用变流变压器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种多晶硅还原炉用变流变压器，包括两台三相变压器，在所述两台三相变压器中，每台变压器均包括铁心、原边绕组和副边绕组，每台变压器中的原边绕组均包括三相主绕组和三相移相绕组，所述三相主绕组联结为三角形结构。其中一台三相变压器原边绕组中的三相主绕组联结为正向三角形结构，另外一台变压器原边绕组中的三相主绕组联结为逆向三角形结构。本实用新型专利技术多晶硅还原炉用变流变压器的使用可以有效的降低高压产生的谐波，从而使多晶硅生产工艺中调功柜工作稳定，使多晶硅生产中的预设温度曲线稳定，满足其特殊生产工艺需求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于变压器
，具体涉及一种多晶硅还原炉用变流变压器。
技术介绍
在多晶硅冶炼过程中需要将一种电压调整形成若干种电压，要求电压电流变化范围宽并能进行精确控制。由于多晶硅冶炼过程控温复杂，温度变化跨度大，而且不同的生产工序温度变化均不相同，这个变化过程需要预设温度变化曲线，而温度的变化是通过配套的多晶硅还原炉调功柜(变压器)来进行调节。所述配套的多晶硅还原炉调功柜内设置有可控硅系统，大功率的可控硅系统在工作中势必产生大量的谐波，这些谐波会引起调功柜功率不稳，从而导致多晶硅生产过程中的温度变化的不稳定，对多晶硅生产会产生不利影响。并且，谐波电流在变压器绕组和线路传输中都要产生附加损耗，并引起发热，影响绕组的绝缘强度，另外还会引起振动和噪音，使整个柜体结构出现金属疲劳和机械损坏等情况。 为了避免上述不利影响，必须设法对可控硅系统产生的谐波加以抑制，而抑制谐波的有效途径之一就是增加系统输入波形的脉波数，这可通过变压器移相来实现。为配合多晶硅反应过程中对温度的不同需求，调功柜输出的容量大小也需要相应发生变化，因此多晶硅还原炉变压器的副边绕组需要设计、制作成为多级输出绕组。然而，如果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉用变流变压器，其特征在于，该变流变压器包括两台三相变压器，在所述两台三相变压器中，每台变压器均包括铁心、原边绕组和副边绕组，每台变压器中的原边绕组均包括三相主绕组和三相移相绕组，所述三相主绕组联结为三角形结构。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉用变流变压器，其特征在于，该变流变压器包括两台三相变压器，在所述两台三相变压器中，每台变压器均包括铁心、原边绕组和副边绕组，每台变压器中的原边绕组均包括三相主绕组和三相移相绕组，所述三相主绕组联结为三角形结构。2.根据权利要求I所述的多晶硅还原炉用变流变压器，其特征在于，在所述两台三相变压器中，其中一台三相变压器原边绕组中的三相主绕组联结为正向三角形结构，另外一台变压器原边绕组中的三相主绕组联结为逆向三角形结构。3.根据权利要求2所述的多晶硅还原炉用变流变压器，其特征在于，所述两台三相变压器中，每台三相变压器的原边绕组中的三相移相绕组分别与三相主绕组联结成延边三角形结构。4.根据权利要求1-3之一所述的多晶硅还原炉用变流变压器，其特征在于，每台三相变压器中，对于副边绕组而言，其中一相绕组包括两个分裂绕组，或者三相绕组中的每一相绕组均包括两个分裂绕组，所述各个分裂绕组之间相互绝缘，彼此之间独立且无公共端点。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋志勇，
申请(专利权)人：特变电工股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：