【技术实现步骤摘要】
本技术涉及直拉硅单晶炉的配件设计及制造
，特别是ー种直拉硅单晶炉热场升降装置。
技术介绍
切氏直拉(Czochralski)法是制备硅单晶的主要方法之一。硅单晶炉设有ー套热场来控制炉内的温度。在单晶拉制过程中，热场一般是固定不动的。仅当单晶生长完毕打开炉盖以后才能进行拆卸。在实际生产中，对于相同尺寸的坩埚和固定的热场，初始投料量是一定的。但硅熔化完毕后，硅液的体积比固态硅的体积小，因此还有继续投料的空间。这可以通过在装料时将热场抬起，当硅料完全融化时再将热场放下。但由于热场固定，空间有限，无法增加初始投料量。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种直拉硅单晶炉热场升降装置，用以解决初始投料量小的问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种直拉单晶炉热场升降装置，包括由绞轮、连接装置以及定位器组成的多组，所述的绞轮焊接在炉盖上，绞轮连接连接装置，连接装置穿过炉盖和热场的上沿与热场压环下方的定位器连接。为了增加钢丝绳运动的流畅性，降低钢丝绳的磨损，本技术所述的绞轮由两个以上的滑轮组成，绞轮上缠绕连接装置。进ー步的说，本技术所述的连接装置为杆或钢索。为了能够平稳的调节热场的升降以及水平，甭使用新型所述的绞轮、连接装置以及定位器有3飞组。本技术的有益效果是，解决了
技术介绍
中存在的缺陷，该装置结构简单，使用方便，能够使热场在高温下完好提升和下降，从而实现增加初始投料量的目的，提高生产效率。此外，本技术提及装置不仅限于硅单晶热场的升降，同时也适用于其他类似材料生长设备的热场升降。以下结合附图和实施例对本技术进ー步说明。图I是本技术的优选实施例的结构示意图；...
【技术保护点】
一种直拉单晶炉热场升降装置，其特征在于：包括由绞轮、连接装置以及定位器组成的多组，所述的绞轮焊接在炉盖上，绞轮连接连接装置，连接装置穿过炉盖和热场的上沿与热场压环下方的定位器连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐胜，杨生凯，
申请(专利权)人：常州顺风光电材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。