光半导体集成元件及其制造方法技术

本发明专利技术的目的是提高光半导体集成元件的可靠性及性能。本发明专利技术的光半导体集成元件（1），其含有在基板（30）的（001）面上方形成的第1光半导体元件（10）、和在基板（30）的（001）面上方且在第1光半导体元件（10）的[110]方向上与第1光半导体元件（10）光学连接地形成的第2光半导体元件（20）。第1光半导体元件（10），其含有第1芯层（11）、和在第1芯层（11）上方形成且在第2光半导体元件（20）侧的侧面上具有与（001）面构成的角度θ为55°以上且90°以下的结晶面的第1覆层（12）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
在光纤通信中，将多个光半导体元件集成在单一基板上而成的光半导体集成元件，在光模块的小型化方面，是有效的。以往，作为如此地将多个光半导体元件集成在单一基板上的方法之一，已知有对接生长(ButtJoint BJ)的生长方法，其在基板上生长一个光半导体元件结构之后，将其一部分除去，在该除去的部分上选择性地再生长其他的光半导体元件结构。 现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2002-314192号公报专利文献2 :日本特开2008-053501号公报专利文献3 :日本特开2002-217446号公报专利文献4 :日本特开2001-189523号公报专利文献5 :日本特开2007-201072号公报专利文献6 :日本特开2004-273993号公报专利文献7 :日本特开2002-324936号公报专利文献8 :日本特开2002-243946号公报专利文献9 :日本特开2003-174224号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在如上所述的BJ生长方法中，具有可独立设计各光半导体元件的优点。但是，在使用BJ生长方法形成的光半导体集成元件中，在光半导体元件之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.29 JP 2010-0742041.一种光半导体集成元件，其特征在于， 其含有在基板的(OOl)面上方形成的第I光半导体元件、和在前述基板的(001)面上方且在前述第I光半导体元件的[110]方向上与前述第I光半导体元件光学连接地形成的第2光半导体兀件， 并且，前述第I光半导体元件，含有第I芯层、和在前述第I芯层上方形成且在前述第2光半导体元件侧的侧面上具有与(001)面构成的角度为55°以上且90°以下的第I结晶面的第I覆层。2.如权利要求I所述的光半导体集成元件，其特征在于， 所述第I结晶面至少含有(Iio)面。3.如权利要求I所述的光半导体集成元件，其特征在于， 所述第I结晶面含有(110)面、和与(001)面构成的角度为55°以上且不满90°的B面方位的结晶面。4.如权利要求I所述的光半导体集成元件，其特征在于， 所述第I芯层在所述第2光半导体元件侧的侧面上具有A面方位的第2结晶面。5.如权利要求I所述的光半导体集成元件，其特征在于， 所述第I覆层的所述第2光半导体元件侧的端部，覆盖所述第I芯层的所述第2光半导体元件侧的侧面的一部分。6.如权利要求I所述的光半导体集成元件，其特征在于， 所述第I覆层的所述第2光半导体元件侧的端部，覆盖所述第I芯层的所述第2光半导体元件侧的侧面的全体。7.如权利要求I所述的光半导体集成元件，其特征在于， 所述第2光半导体元件，含有与所述第I芯层光学连接的第2芯层、和在所述第2芯层上方形成的第2覆层， 并且，在所述第I覆层和所述第2覆层之间，形成所述第2芯层的一部分。8.如权利要求I所述的光半导体集成...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥村滋一，江川满，苫米地秀一，植竹理人，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：
国别省市：