【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在半导体元件的电极端子或电路基板的电极端子的接合面形成的导电连接部件及其制作方法。详细地说,涉及ー种由金属多孔质体构成的导电性凸块、导电性芯片焊接部等导电连接部件及其制作方法,所述金属多孔质体通过对放置于半导体元件的电极端子或电路基板的电极端子的接合面的、含有平均一次粒径为纳米尺寸(纳米尺寸是指小于I y m,以下相同)的金属微粒和有机分散介质的导电性糊料进行加热处理而制作,金属多孔质体中,纳米尺寸的金属微粒结合,在该金属微粒间分布有纳米尺寸的空穴(空隙)。
技术介绍
近年来,为了实现电子设备的高功能、高性能化和小型化,半导体安装技术的高密度化得以推迸。作为半导体元件间的连接、半导体元件与电路基板间的连接方法的代表性 技术,已知引线接合技术(WB)、作为无引线接合技术的卷带式自动接合技术(TAB)和倒装芯片焊接技术(FCB)。这些之中,作为高密度地安装计算机设备等半导体装置的技术,多使用能够最高密度化的倒装芯片焊接技木。倒装芯片焊接将形成于半导体元件等上的凸块(突起状物)接合到电路基板等,该凸块的形成主要采用了镀覆法。在利用镀覆法形成凸块时,能够形 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:西久保英郎,增森俊二,原田琢也,石井智纮,藤原英道,
申请(专利权)人:古河电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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