【技术实现步骤摘要】
本技术涉及测试分选硅片表面温度自动整定装置。
技术介绍
现有技术中，烧结炉与测试装置之间设有将烧结炉下料后的硅片搬运至测试装置的搬运装置，但是硅片在搬运过程中自然冷却降温。但是烧结炉下料后硅片表面温度过高(一般约30°C左右)，Berger测试系统要求硅片温度在25°C ±2°C，设备本身采用的自然降温难以满足测试系统要求，然超出此温度范围的前提下测试将会严重影响测试精度。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题就是提供一种测试分选硅片表面温度自动整定装置，自动整定搬运中硅片的温度，保证测试精度。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案测试分选硅片表面温度自动整定装置，烧结炉与测试装置之间设有将烧结炉下料后的硅片搬运至测试装置的搬运装置，其特征在于所述搬运装置上方设有对搬运过程中的硅片进行冷却的冷却装置。作为优选，所述冷却装置为搬运装置上方的散热风扇。作为优选，所述散热风扇连接温控开关，温控开关通过实时监测硅片温度来控制散热风扇的功率输出以实现硅片在搬运过程中表面温度的自整定。烧结炉下料后，Baccini采用搬运装置将硅片搬运至测试区测试，通过在搬运装置的正上方加装散热风扇，并通过温控开关来控制散热风扇的功率输出，借以实现硅片在搬运过程中表面温度的自整定。本技术烧结炉下料后不需要等待自然降温后再测试，使得烧结测试的整体衔接更加顺畅，提升了测试产能；而且通过温控开关控制散热风扇的功率输出避免了过度散热导致硅片表面温度过低弓I起的测试误差。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步描述图I为本技术结构示意图。具体实施方式结合图I具体说明本技术测试分选硅片表面温度...
【技术保护点】
测试分选硅片表面温度自动整定装置，烧结炉（1）与测试装置（2）之间设有将烧结炉下料后的硅片搬运至测试装置的搬运装置（3），其特征在于：所述搬运装置上方设有对搬运过程中的硅片进行冷却的冷却装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张元明，
申请(专利权)人：浙江光普太阳能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。