π共轭高分子组合物制造技术

π共轭高分子组合物，其是含有（a）溶剂，（b）溶解于上述溶剂的、被掺杂剂掺杂的π共轭高分子，（c）酸性物质和酸性物质的盐中的至少一者，以及（d）酚性化合物的π共轭高分子组合物，上述成分（c）之中，仅含上述酸性物质时，上述酸性物质与上述酚性化合物不同；仅含上述酸性物质的盐时，上述酸性物质的盐与上述酚性化合物不同；含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐两者时，上述酸性物质和上述酸性物质的盐中的至少一者与酚性化合物不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及π共轭高分子组合物。
技术介绍
导电性高分子被用于电解电容器、有机EL元件、以及抗静电膜、触摸面板等广泛的产业领域中。作为一种导电性高分子的聚苯胺，除了其电气特性之外，还具有可由廉价的苯胺较为简便地进行合成、且在显示导电性的状态下对氧等表现优异稳定性的优点和特性。此夕卜，通过专利文献I记载的方法可简便地获得高导电的聚苯胺。这里，专利文献I记载的聚苯胺组合物是被掺杂的聚苯胺可溶解于溶剂中的、溶解型的聚苯胺组合物。但是，专利文献I公开的导电性聚苯胺组合物不能说耐热性就一定高，例如在105°C的惰性气体中放置10天时，则有电阻值值上升至初始的10倍左右的问题。另一方面，还已知被掺杂的聚苯胺不溶解的、分散型的聚苯胺组合物。进而还已知可通过以磺酸作为掺杂剂来提高耐热性(专利文献2)。然而，分散型的聚苯胺组合物在固体成分仅为聚苯胺微粒时则具有所得成形体脆的缺点。为了解决该课题，虽然还已知添加作为聚苯胺以外的固体成分的粘合剂树脂，但是由于粘合剂树脂是绝缘体，故存在所得成形体的导电性变低的其它缺点。此外，对于分散型的聚苯胺组合物来说，由于被掺杂的聚苯胺微粒会发生凝集、沉淀，故使用该分散型的聚苯胺组合物来制造成形体时，则在制造时存在必须混合该组合物使聚苯胺微粒子分散于组合物中的缺点。还已知可通过向分散型的聚苯胺组合物添加磺酸来提高耐热性(专利文献3)。然而，专利文献3记载的专利技术也为分散型，故具有与上述相同的缺点。进而，使用专利文献3记载的“向分散型的聚苯胺中添加磺酸而得的导电性组合物”而制造的成形体与使用“未向分散型的聚苯胺中添加磺酸的导电性组合物”而制造的成形体相比，存在导电性大幅降低的缺点。现有技术文献 专利文献 专利文献I :国际公开第2005/052058号小册子 专利文献2 :日本特开平7-238149号公报 专利文献3 :日本特表2005-526876号公报。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供具有高导电性和高耐热性、且π共轭高分子溶解于溶剂中的溶解性的高分子组合物。根据本专利技术，提供以下的共轭高分子组合物等。本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物为含有(a)溶剂、 (b)溶解于上述溶剂的、被掺杂剂掺杂的π共轭高分子、 (C)酸性物质和酸性物质的盐中的至少一者，以及 Cd)酚性化合物 的π共轭高分子组合物， 其中，上述成分(c)之中，仅含上述酸性物质时，上述酸性物质与上述酚性化合物不同；仅含上述酸性物质的盐时，上述酸性物质的盐与上述酚性化合物不同；含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐两者时，上述酸性物质和上述酸性物质的盐中的至少一者与酚性化合物不同。本专利技术的第二方面的共轭高分子组合物至少使用下述(a) (d)作为原料 (a)溶剂 (b)溶解于上述溶剂的、被掺杂剂掺杂的π共轭高分子 (C)酸性物质和酸性物质的盐中的至少一者 Cd)酚性化合物 其中，上述成分(c)之中，仅含上述酸性物质时，上述酸性物质与上述酚性化合物不同；仅含上述酸性物质的盐时，上述酸性物质的盐与上述酚性化合物不同；含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐两者时，上述酸性物质和上述酸性物质的盐中的至少一者与酚性化合物不同。对于本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物和本专利技术的第二方面的η共轭高分子组合物，优选的是， 上述成分(C)之中，仅含有上述酸性物质时，上述酸性物质与上述掺杂剂不同；仅含有上述酸性物质的盐时，上述酸性物质的盐与上述掺杂剂不同；含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐两者时，上述酸性物质和上述酸性物质的盐中的至少一者与上述掺杂剂不同。对于本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物和本专利技术的第二方面的η共轭高分子组合物，优选的是，上述成分(c )之中，仅含有上述酸性物质时，上述酸性物质的酸度在5. O以下；仅含有上述酸性物质的盐时，为酸度在5. O以下的酸性物质的盐；含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐两者时，满足下述中的至少一个条件上述酸性物质的酸度在5. O以下、和上述酸性物质的盐为酸度在5. O以下的酸性物质的盐。对于本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物和本专利技术的第二方面的η共轭高分子组合物，优选的是， 上述η共轭高分子含有氮原子， 上述掺杂剂为磺酸， 上述成分(C)之中，仅含有上述酸性物质时，该酸性物质为与上述掺杂剂相同或不同的磺酸， 仅含有上述酸性物质的盐时，该酸性物质的盐为与上述掺杂剂相同或不同的磺酸的盐， 含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐时，上述酸性物质和上述酸性物质的盐中的至少一者为与上述掺杂剂相同或不同的磺酸或磺酸的盐， 且满足式(I):O. 21 ( S1ZN1 ( I. 2... (I) 式中，S1为组合物所含的硫原子的摩尔数，N1为组合物所含的氮原子的摩尔数。对于本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物和本专利技术的第二方面的η共轭高分子组合物，优选的是， 上述掺杂剂为磺酸， 上述成分(C)之中，仅含有上述酸性物质时，该酸性物质为与上述掺杂剂相同或不同的磺酸， 仅含有上述酸性物质的盐时，该酸性物质的盐为与上述掺杂剂相同或不同的磺酸的盐， 含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐时，上述酸性物质和上述酸性物质的盐中的至少一者为与上述掺杂剂相同或不同的磺酸或磺酸的盐， 仅含上述酸性物质时，满足式(2)， 仅含上述酸性物质的盐时，满足式(3 )， 含有上述酸性物质和上述酸性物质的盐时，满足式(4):O. 01 ( S2/N2 ( O. 5... (2)O. 01 ( S3/N3 ( O. 5... (3)O. 01 ( S4/N4 ( O. 5... (4) 式中，S2为组合物所含的全部酸性物质的硫原子的总摩尔数，S3为组合物所含的全部酸性物质的盐的硫原子的总摩尔数，S4为组合物所含的全部酸性物质和酸性物质的盐的硫原子的总摩尔数，N2 N4为组合物所含的被掺杂剂掺杂的全部π共轭高分子的氮原子的总摩尔数。对于本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物和本专利技术的第二方面的η共轭高分子组合物，优选的是，上述η共轭高分子含有氮原子，上述掺杂剂为磺酸，且满足式(5)O.2 ^ S5/N5 ( O. 7... (5) S5为组合物所含的被上述掺杂剂掺杂的π共轭高分子的硫原子的总摩尔数，N5为组合物所含的被上述掺杂剂掺杂的η共轭高分子的氮原子的总摩尔数。对于本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物和本专利技术的第二方面的η共轭高分子组合物，优选的是，上述被掺杂剂掺杂的η共轭高分子的成形体的、利用四端子法测定而得的电导率为O. OI S/cm以上， 上述成形体是在氮气氛下，利用旋涂法，将在甲苯IOg中溶解上述被掺杂剂掺杂的η共轭高分子500mg而得的溶液1ml，在经图案化的形成了铟锡氧化物电极的玻璃基板上以500rpm涂布15秒钟，并在氮气氛下在80°C进行5分钟干燥而得的。对于本专利技术的第一方面的π共轭高分子组合物和本专利技术的第二方面的η共轭高分子组合物，优选的是，成形体的利用四端子法测定而得的电导率为O. 01S/cm以上， 上述成形体是在氮气氛下，利用旋涂法，将上述η共轭高分子组合物lml，在经图案化的形成了铟锡氧化物电极的玻璃基板上以500rpm涂布15秒钟，并在氮气氛下在80°C进行5分钟本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野寺真吾，黑田宪宽，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：