氮化物系半导体发光元件制造技术

本发明专利技术的目的在于抑制半导体发光元件的正向电压，且达成高效率。本发明专利技术的氮化物系半导体发光元件具有基板、和在所述基板上夹着活性区域而层叠的n型半导体层及p型半导体层，所述活性区域包含用于构成多重量子阱构造的阻挡层；以及最终阻挡层，该最终阻挡层的膜厚比所述阻挡层的膜厚厚，且设置在与所述p型半导体层最近的一侧，在构成所述多重量子阱构造的阻挡层中，与所述最终阻挡层邻接的2个阻挡层的平均膜厚比其他的阻挡层的平均膜厚薄。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及利用了氮化物系半导体(例如，一般式InxAlYGamNJ彡X，0( Y，X+Y ( I)的半导体发光元件以及利用了该半导体发光元件的发光装置以及其制造方法。
技术介绍
作为夹着发光层而层叠有p型半导体层以及n型半导体层的半导体发光元件的发 光二极管(LED)或半导体激光器(LD)、以及利用这些器件的照明等的发光装置已得到实用化。尤其是利用了氮化物系材料(以下，存在有总称之为“GaN”的情形。)的半导体发光元件，由于其能够获得蓝或绿等的发光，因此，人们正在积极进行研究开发。作为制造这些半导体发光元件的方法，已知有在异种基板上使GaN生长的方法。该方法中，在对异种基板进行热清洗后，再在其上表面生长低温缓冲层，其后在高温下使GaN层生长。在此，生长GaN层的目的在干，使基板表面平坦化以及消除来自异种基板的贯通坑等。其后，使n接触层生长，作为掺杂了成为与n型欧姆电极之间的欧姆接合面的n型杂质的层。其后，层叠成为活性层的基底层的超晶格层，与活性层相连接。在这样的制造方法中，为了在异种基板上生长GaN，存在于GaN层的无数的错位将从n接触层、活性层延续至p型半导体层。尤其是在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小谷靖长，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：