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本发明的目的在于抑制半导体发光元件的正向电压，且达成高效率。本发明的氮化物系半导体发光元件具有基板、和在所述基板上夹着活性区域而层叠的n型半导体层及p型半导体层，所述活性区域包含用于构成多重量子阱构造的阻挡层；以及最终阻挡层，该最终阻挡层的...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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