【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种具有单片(monolithic)集成电容器的功率转换器装置。
技术介绍
高功率的高频切换电路中的寄生电感可造成诸如切换损耗、过度成环、以及过冲之类的效率下降，从而造成电路中的功率器件的过度张力。这将导致功率器件的损坏或失效。
技术实现思路
根据一个实施例，一种具有集成电容器的半导体结构包括半导体基板、半导体基板上方第一位置处的高侧输出功率器件、以及半导体基板上方与第一位置邻接的第二位置处的低侧输出功率器件。第一金属层位于高侧输出功率器件上方并且电I禹接至高侧输出功率器件，第二金属层位于低侧输出功率器件上方并且电耦接至低侧输出功率器件。介电层位于第一金属层的一部分以及第二金属层的一部分上方，顶部金属层位于介电层上方。集成电容器包括包括第一金属层的该部分的第一底部电极、包括第二金属层的该部分的第二底部电极、第一及第二金属层的所述部分上方的介电层、以及包括介电层上方的顶部金属层的顶部电极。附图说明应该理解的是，附图仅仅描绘了示例性实施例，因此并不被认为是用于限制范围，将通过使用附图更加明确及详细地描述示例性实施例，其中图I是包括具有一个或多个单片集成电容...
【技术保护点】
一种具有集成电容器的半导体结构，包括：半导体基板；所述半导体基板上方第一位置处的高侧输出功率器件；所述半导体基板上方与所述第一位置邻接的第二位置处的低侧输出功率器件；所述高侧输出功率器件上方的电耦接至所述高侧输出功率器件的第一金属层；所述低侧输出功率器件上方的电耦接至所述低侧输出功率器件的第二金属层；所述第一金属层的一部分以及所述第二金属层的一部分上方的介电层；以及所述介电层上方的顶部金属层；其中，所述集成电容器包括：包括所述第一金属层的所述部分的第一底部电极；包括所述第二金属层的所述部分的第二底部电极；所述第一金属层的所述部分以及所述第二金属层的所述部分上方的所述介电层；...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·希伯特，S·J·高尔，S·佩崔赛克，
申请(专利权)人：英特赛尔美国股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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