【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及MIM电容器及其形成方法。
技术介绍
电容元件常用于如射频1C、单片微波IC等集成电路中作为电子无源器件。常见的电容元件包括金属氧化物半导体(MOS)电容、PN结电容以及MIM(metal-insulator-metal,简称MM)电容等。其中，MIM电容在某些特殊应用中提供较优于MOS电容以及PN结电容的电学特性，这是由于MOS电容以及PN结电容均受限于其本身结构，在工作时电极容易产生空穴层，导致其频率特性降低。而MM电容可以提供较好的频率以及温度相关特性。此 夕卜，在半导体制造中，MIM电容可形成于层间金属以及铜互连制程，也降低了与CMOS前端工艺整合的困难度及复杂度。参考图I,传统的MIM电容包括位于基底10上的第一极板11,位于第一极板11上的电容介质层12，位于电容介质层12上的第二极板12。通常，为了将第一极板11、第二极板12与其他器件电连接，形成层间介质层14，覆盖MIM电容器和基底10，之后在层间介质层14中形成与第一极板11电连接的第一插栓16、与第二极板12电连接的第二插栓15 ;之后，在层间介质层14...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种MIM电容器，其特征在于，包括 基底； 位于所述基底上的第一极板； 位于所述第一极板上具有开口的层间介质层，且所述开口暴露出所述第一极板； 位于所述开口底部的电容介质层； 位于所述电容介质层上的第二极板，且所述第二极板高出所述开口。2.如权利要求I所述的MM电容器，其特征在于，所述电容介质层也位于所述开口的侧壁。3.如权利要求I所述的MIM电容器，其特征在于，所述第一极板具有超出第二极板的边缘部分； 所述电容器还包括位于所述层间介质层的插栓，且所述插栓位于所述边缘部分上；位于所述插栓上的导电块。4.如权利要求3所述的MIM电容器，其特征在于，所述导电块、插栓和所述第二极板的材料相同。5.如权利要求I所述的MIM电容器，其特征在于，所述第二极板的材料为铝。6.一种形成MIM电容器的方法,其特征在于,包括 提供基底； 在所述基底上形成第一极板； 形成具有开口的层间介质层，覆盖所述第一极板和基底，所述开口暴露出所述第一极板； 在所述开口底部形成电容介质层； 在所述开口中、电容介质层上形成高出所述开口的第二极板。7.如权利要求6所述的形成MIM电容器的方法，其特征在于，在所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王健鹏，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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