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一种MIM电容器及其形成方法，MIM电容器包括：基底；位于所述基底上的第一极板；位于所述第一极板上具有开口的层间介质层，且所述开口暴露出所述第一极板；位于所述开口底部的电容介质层；位于所述电容介质层上的第二极板，且所述第二极板高出所述开口。...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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