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提供了一种具有集成电容器的诸如功率转换器之类的半导体结构，其包括：半导体基板、半导体基板上方第一位置处的高侧输出功率器件、以及半导体基板上方与第一位置邻接的第二位置处的低侧输出功率器件。第一金属层位于高侧输出功率器件上方并且电耦接至高侧输出...
该专利属于英特赛尔美国股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特赛尔美国股份有限公司授权不得商用。

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