【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及至少部分回蚀半导体层的方法以及实施该方法的装置。
技术介绍
半导体层回蚀是许多半导体元件的加工方法的内容。本申请中，半导体层是指半导体的层。半导体层的回蚀尤其被用在太阳能电池加工中，用于回蚀作为掺杂半导体层的发射极。当在半导体层表面上的掺杂材料浓度如此之高，以至于更高的表面复合速度或者更高的发射极饱和电流密度不利地影响到成品太阳能电池的效率时，有时就采取这样的发射极回蚀。例如，当使用特殊的掺杂材料源时或者当出现提高的掺杂材料表面浓度时，在半导体层表面上就会出现过高的掺杂材料浓度，这是因为扩散优先针对的是影响除半导体层表面上的掺杂材料浓度外的其它太阳能电池基片性能，例如当要与扩散同时地产生吸气剂效应(Getter-Effekt)时。从现有技术中可知，可这样消除在半导体层表面上的不希望有的高掺杂材料浓度，即，对半导体层进行回蚀。这例如可借助半导体层在蚀刻液中的回蚀实现，蚀刻液含有氟化氢(HF)和臭氧(O3)(参见例如EP1843389B1)。
技术实现思路
本专利技术的目的，包括提供一种替代方法，用于至少部分回蚀基片的半导体层，并且本专利技术的目的包括提供...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.09.22 DE 102009042288.91.一种至少部分回蚀基片(3)的半导体层(I)的方法，其中，所述基片(3)至少部分设置在蚀刻液(5)之外， 其特征在于，所述半导体层(3)的位于所述蚀刻液(5)之外的部分是借助源于所述蚀刻液(5)的反应性蒸气(11)被至少部分蚀除的。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，被回蚀的是掺杂半导体层(I)。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，被回蚀的是掺杂硅层(I)，其中，优选采用硅晶片(3)作为基片(3)，并且所述掺杂硅层(I)是通过在硅晶片(3)中加入掺杂材料而形成的。4.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，如此设置该基片(3)，S卩，该半导体层(I)的一部分位于该蚀刻液(5)内，并且该半导体层(I)的所述部分是借助该蚀刻液(5)被完全蚀除的。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，位于所述蚀刻液(5)之外的半导体层(I)部分借助所述反应性蒸气(11)仅被蚀除至该半导体层(I)的一个剩余残余厚度。6.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，被回蚀的是太阳能电池基片(11)的发射极(15)。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，如此设置该太阳能电池基片(3)，S卩，该太阳能电池基片(3)的后来的发射极侧面(9)位于该蚀刻液(5)之外，并且该太阳能电池基片(3)的与该发射极侧面(9)对置的侧面位于该蚀刻液(5)之内。8.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在该半导体层(I)被回蚀之前，以湿化学方法，除去存在于待回蚀的半导体层(I)上的硅酸盐玻璃层(4)。9.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，该反应性蒸气(11)被部分抽吸走，以调节用于该半导体层(I)的回蚀的回蚀速率。10.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，将惰性气体(38)和/或至少一种反应性气体供给待回蚀的半导体层(I)的位于该蚀刻液(5)之外的部分，以调节该反应性蒸气(11)的回蚀速率，其中，优选使用来自下组的至少一种物质作为至少一种反应性气体，该组包括气态臭氧和气态氟化氢。11.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，在回蚀过程中利用电磁射线(42 ；48)最好利用紫外线(42)来照射待回蚀的半导体层(I)的位于该蚀刻液(5)之外的部分，以调节该半导体层(I)回蚀的回蚀速率。1...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克·德拉海耶，维尔纳·索勒，埃卡德·威福林豪斯，史蒂芬·奎瑟尔，
申请(专利权)人：雷纳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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