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本发明涉及一种用于至少部分回蚀基片(3)的半导体层(1)的方法，其中该基片(3)至少部分安置在蚀刻液(5)外，并且在该蚀刻液(5)外的半导体层(3)部分借助源于该蚀刻液(5)的反应性蒸气(11)被至少部分蚀除；本发明还提供用于实施该方法的装...
该专利属于雷纳有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过雷纳有限公司授权不得商用。

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