一种柔性IGZO薄膜晶体管制造技术

本实用新型专利技术提出一种柔性IGZO薄膜晶体管。该薄膜晶体管采用底栅顶接触型TFT结构，包含塑料衬底、缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、IGZO半导体层以及保护层，其中塑料衬底位于薄膜晶体管的最下层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层，缓冲保护层的上部中心区域采用直流磁控溅射方法制备梯形栅电极，梯形栅电极上部覆盖了栅绝缘层，栅绝缘层的两端分别覆盖至缓冲保护层上，在栅绝缘层的上部采用磁控溅射方法制备IGZO半导体层，源、漏两极中每一极中的一端分别位于半导体层的顶部的两侧，另一端位于栅绝缘层的上部。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：王彬，
申请(专利权)人：广东中显科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：