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本实用新型提出一种柔性IGZO薄膜晶体管。该薄膜晶体管采用底栅顶接触型TFT结构，包含塑料衬底、缓冲保护层、删电极、栅绝缘层、源极以及漏极、IGZO半导体层以及保护层，其中塑料衬底位于薄膜晶体管的最下层，塑料衬底上覆盖缓冲保护层，缓冲保护层...
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