一种晶硅太阳能电池去死层方法技术

本发明专利技术一种晶硅太阳能电池去死层方法；属于光伏技术领域。含有以下步骤；步骤1；将原硅片进行制绒；步骤2；进行扩散；步骤3；进行等离子刻蚀；步骤4；进行去磷硅；步骤5；进行HNO3腐蚀；步骤6；进行去磷硅；步骤7；进行PECVD镀膜；步骤8；进行丝印烧结；步骤9；进行测试分选；本发明专利技术的优点是：a)去磷硅后的硅片在硝酸中浸泡腐蚀可以去除表面含高浓度磷的薄层，能达到去死层的目的。方阻提高了1-3Ω，最终提升了电池的短流和串阻以至于效率提升1.0％-1.4％。b)在硝酸浸泡腐蚀只在硅片表面形成一层很薄的氧化层，反应会自停止，不会对PN结造成明显破坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。属于光伏

技术介绍
晶硅太阳能电池利用晶体硅作为材料制作的将光能转化为电能的发电装置。死层磷扩散时，其浓度呈阶梯分布，表面浓度较高，超过磷在硅基上的最大固溶度，有部分磷原子析出，不能作为施主杂质提供电子，且会因为晶格失配、位错，成为复合中心，少子寿命极低。对常规磷扩而言，硅片近表面O. Ium范围内杂质分布平坦，无浓度梯度，此即所谓“死层”。 晶体硅太阳电池制作过程中磷扩散后表面有不活泼磷(死层)，造成晶格缺陷，使得少子寿命显著降低，表层吸收的短波(400-600nm)光子所产生的光生载流子对电池电流输出贡献小。晶娃太阳能电池制造过程分为制绒、扩散、等离子刻蚀、PSG(Phospho SilicateGlass)清洗、PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 等离子增强的化学气相沉积)镀膜、丝网印刷、烧结等エ序，而扩散过程可以看做是ー个无限源杂质的扩散过程，这个过程导致了发射极表面区域的杂质浓度等于(或大于)固溶度。对于磷元素来说，在850-950°C时的固溶度约为3*1020cnT3(即5%的硅原子被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于含有以下步骤； 步骤I ;将原硅片进行制绒； 步骤2 ;进行扩散； 步骤3 ;进行等离子刻蚀； 步骤4 ;进行去磷硅； 步骤5 ;进行HNO3腐蚀； 步骤6 ;进行去磷硅； 步骤7 ;进行PECVD镀膜； 步骤8;进行丝印烧结； 步骤9 ;进行测试分选； 溶液配比及浸泡时间均可以调整； 所配溶液为HNO3 (类别EL;含量65. 0-68.0%) H20(纯水)=I 2或I : 3; 硅片在硝酸溶液中浸泡时间2min-5min，之后再进行去离子水洗为2min。2.根据权利要求I所述的ー种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于浸泡时间为2min 或 4min。3.根据权利要求I所述的ー种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于在去磷硅步骤后添加去死层步骤； 扩散后的硅片经过HF液去磷硅清洗后，表面是重掺磷的硅片，把硅片浸入硝酸后会产生极薄的SiO2氧化层，由于没有HF參与反应，故反应有自停止作用； 然后再通过去磷硅エ艺，即可去除ー层含高浓度磷的硅； 也可重复同样流程来控制的腐蚀量。4.根据权利要求I所述的ー种晶硅太阳能电池去死层方法，其特征在于含有以下依次进行的步骤；扩散后的硅片步骤；等离子刻蚀步骤；去磷硅步骤；HN03腐蚀步骤；去磷硅步骤；PECVD镀膜步骤；丝印烧结步骤；测试分选步骤； 扩散后的硅片步骤主要是通过单/双面液态磷源扩散，制作N型发射极区，以形成光电转化的基本机构——PN结； 等离子刻蚀的步骤在高频辉光放电的条件下，甲烷跟氧气气体分解成活性原子和自由基(等离子体)，对硅片周边进行化学和物理的作用，生成挥发性的反应物，以刻蚀掉周边的N型区； 去磷硅步骤去除硅片表面氧化层及扩散室形成的磷硅玻璃(磷硅玻璃是指掺有五...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙良欣，陈支勇，陈壁滔，胡盛华，俞建，鲍文娟，
申请(专利权)人：北京吉阳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：