背接触硅太阳能电池的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅片的受光面进行制绒；(2)在硅片的受光面扩散制结；(3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜；(4)在硅片受光面内的PN结和背光面孔金属电极区域生长重掺杂层；(5)采用激光处理重掺杂层得到局部重掺杂发射极，同时采用激光在硅片上开孔；(6)在上述硅片上制备受光金属电极、孔金属电极和背光金属电极；(7)在背光面印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。本发明专利技术成功将选择性发射极结构与背接触电池相结合，从而大大提高了转换效率，试验证明：与现有技术相比，本发明专利技术制得的背接触太阳电池的光电转换效率提升了0.4~0.6%，取得了显著的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于太阳电池领域。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳能电池中，晶体硅太阳能电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时硅太阳能电池相比其他类型的太阳能电池，有着优异的电学性能和机械性能。因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。高效化是目前晶体 硅太阳电池的发展趋势，通过改进表面织构化、选择性发射结、前表面和背表面的钝化，激光埋栅等技术来提高太阳能电池的转化效率，但由于其需要特殊的设备和复杂的工艺流程，产业化进程受到制约。目前，背接触硅太阳电池(MWT太阳电池)受到了大家的广泛关注，其优点在于由于其正面没有主栅线，正极和负极都在电池片的背面，减少了电池片的遮光，提高了电池片的转换效率，同时由于正极和负极均在背面，在制作组件时，可以减少焊带对电池片的遮光影响，同时采用新的封装方式可以降低电池片的串联电阻，减小电池片的功率损失。为了进一步提升光电转换效率，背接触硅太阳电池开始与其他新技术结合，例如与选择性发射极技术结合，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤 (1)在硅片的受光面进行制绒； (2)在硅片的受光面扩散制结； (3)去除杂质玻璃，然后在硅片受光面的PN结上设置减反射膜； (4)在硅片受光面内的PN结和背光面孔金属电极区域生长重掺杂层； (5)采用激光处理重掺杂层得到局部重掺杂发射极，同时采用激光在硅片上开孔； (6)在上述娃片上制备受光金属电极、孔金属电极和背光金属电极； (7)在背光面印刷背面电场，烧结，即可得到背接触硅太阳能电池。2.根据权利要求I所述的背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(6)中的孔金属电极的主要成分选自镍、铜、锡和银中的一种或几种。3.根据权利要求I所述的背接触硅太阳能电池的制备方法，其特征在于所述步骤(5)中的激光为355nm紫外激光或...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凤，王栩生，章灵军，
申请(专利权)人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司，阿特斯中国投资有限公司，
类型：发明
国别省市：