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本发明一种晶硅太阳能电池去死层方法；属于光伏技术领域。含有以下步骤；步骤1；将原硅片进行制绒；步骤2；进行扩散；步骤3；进行等离子刻蚀；步骤4；进行去磷硅；步骤5；进行HNO3腐蚀；步骤6；进行去磷硅；步骤7；进行PECVD镀膜；步骤8；进...
该专利属于北京吉阳技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京吉阳技术股份有限公司授权不得商用。

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