晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供的晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置，用于提高阵列基板的开口率，该方法包括：形成第一源极和漏极金属层；在第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；在绝缘层上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层形成半导体层；在半导体层上形成的刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层；在第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。可见通过该方法制作的晶体管可提高阵列基板的开口率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶面板制造
，尤其涉及晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置。
技术介绍
氧化物薄膜场效应晶体管(Oxide Thin Film Transistor, Oxide TFT)作为像素区域的驱动器，在液晶显示器(Liquid Crystal Display, IXD)的背板中用于控制液晶的旋转使得像素区域产生不同的灰阶；在有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode, AM0LED)中，用于控制电致发光层的亮度,使得像素区域 产生不同的灰阶。如图IA至图IF所示，制作双底栅OTFT的流程如下第一、在基板上沉积ー层金属，一般是钥金属，刻蚀后形成包括两个相同的栅极金属层101的双底栅结构，即Gate层101，如图IA所示；第二、在Gate层101上铺设ー层绝缘材料，形成如图IB所示的栅极绝缘(GateInsulator, GI)层 102 ；第三、在GI层102上铺设铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0),形成如图IC所示的IGZO层103，IGZO层可作为OTFT的半导体层；第四、在IGZO层103上沉积无机非金属材料，刻蚀后形成阻挡层104，如图ID所示图形；阻挡层用于防止在后续刻蚀源极金属层和漏极金属层时破坏IGZO层；第五、在阻挡层104上沉积ー层金属，刻蚀后分别形成作为源极的源极金属层106，作为漏极的漏极金属层105，以及中间金属层107，如图IE所示；第六、在源极金属层、漏极金属层以及中间金属层上沉积PVX，形成绝缘层108，如图IF所示。以AMOLED中的双底栅OTFT为例，OTFT的工作原理如下首先，为源极金属层加上数字信号即Data信号；其次，为栅极金属层加电压，当电压大于一定值时，IGZO层开始导通，此时可在IGZO层中形成载流子。此时增加在源极金属层上的数字信号就会通过载流子传递到漏极金属层上，使得与漏极相连的电致发光材料发光;但本专利技术人发现，使用现有技术制作的双底栅结构的0TFT，其在像素区域所占的面积较大，例如，如果OTFT采用的长宽比值为W/L= 18/9，则可得出双底栅的宽度最小为40 μ m，这样对于像素尺寸为50Χ200μπι的阵列基板的开ロ率的影响较大。开ロ率是指在単元像素内，实际可透光区的面积与单元像素总面积的比率，显然开ロ率越高，光透过率也越高，因此，当双底栅的面积越大则开ロ率越小，光透过率也越低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种晶体管的制作方法、晶体管、阵列基板以及显示装置，用于提闻阵列基板的开ロ率。一种晶体管的制作方法，所述方法包括在基板上形成第一源极和漏极金属层；在所述第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；所述绝缘层包含第一绝缘区域和第ニ绝缘区域，且所述第一绝缘区域部分覆盖所述第一源极和漏极金属层的ー侧；所述第二绝缘区域部分覆盖所述第一源极和漏极金属层的另ー侧；在所述绝缘层上形成栅极金属层；所述栅极金属层包含第一栅极区域和第二栅极区域，且所述第一栅极区域覆盖所述第一绝缘区域，所述第二栅极区域覆盖所述第二绝缘区域；在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；所述半导体层的正投影区域覆盖所述第一源 极和漏极金属层；在所述半导体层上形成刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层的正投影区域覆盖所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间的空白区域；在所述刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层；所述第二源极和漏极金属层包括源极区域和漏极区域的第二源极和漏极金属层；所述源极区域形成的正投影区域覆盖所述半导体层与所述第一栅极区域的重叠部分；所述漏极区域形成的正投影区域覆盖半导体层与第二栅极区域的重叠部分； 在所述第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。ー种晶体管，所述晶体管包括基板以及位于所述基板上的第一源极和漏极金属层；部分覆盖所述第一源极和漏极金属层ー侧的第一绝缘区域；部分覆盖所述第一源极和漏极金属层另ー侧的第二绝缘区域；且所述第一绝缘区域和所述第二绝缘区域的其余部分位于所述基板；覆盖所述第一绝缘区域的第一栅极区域；覆盖所述第二绝缘区域的第二栅极区域；覆盖所述第一栅极区域、所述第二栅极区域以及所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间的空白区域的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层上的半导体层，且所述半导体层的正投影区域覆盖所述第一源极和漏极金属层；位于所述半导体层上的刻蚀阻挡层，且所述刻蚀阻挡层的正投影区域覆盖所述空白区域；分别位于所述刻蚀阻挡层上的源极区域和漏极区域；所述源极区域形成的正投影区域覆盖所述半导体层与所述第一栅极区域的重叠部分；所述漏极区域形成的所述正投影区域覆盖所述半导体层与所述第二栅极区域的重叠部分；覆盖所述源极区域、所述漏极区域、所述栅极绝缘层以及所述刻蚀阻挡层的绝缘层。一种阵列基板，所述阵列基板包括上述晶体管。一种显示装置，所述显示装置包括上述阵列基板。采用本专利技术实施例提供的晶体管制作方法，可获得两个共用同一个第一源极和漏极金属层的OTFT ;如图3H所示，左侧的OTFT由下至上的结构为第一源极和漏极金属层、第一绝缘区域、第一栅极区域、栅极绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层以及源极区域；右侧OTFT由下至上的结构为第一源极和漏极金属层、第二绝缘区域、第二栅极区域、栅极绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层以及源极区域；可见，使用该方法形成的两个OTFT共用ー个第一源极和漏极金属层，该第一源极和漏极金属层可在其中ー个OTFT中作为源极金属层，在另ー个OTFT中作为漏极金属层，并且每ー个OTFT都有自己的栅极；并且这两个OTFT的源扱、栅极以及漏极分别形成在垂直方向上，因此，通过本方法形成的具有垂直结构的双栅0TFT，可大大减少现有技术中双底栅结构的晶体管在像素区域所占的面积，可提高阵列基板的开ロ率。附图说明图IA为现有技术中制作晶体管的过程中形成第一结构的结构示意图；图IB为现有技术中制作晶体管的过程中形成第二结构的结构示意图； 图IC为现有技术中制作晶体管的过程中形成第三结构的结构示意图；图ID为现有技术中制作晶体管的过程中形成第四结构的结构示意图；图IE为现有技术中制作晶体管的过程中形成第五结构的结构示意图；图IF为现有技术中制作晶体管的过程中形成第六结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种晶体管的制作方法流程示意图；图3A为本专利技术实施例提供的晶体管的金属层的结构示意图；图3B为本专利技术实施例提供的晶体管的第一结构示意图；图3C为本专利技术实施例提供的晶体管的第二结构示意图；图3D为本专利技术实施例提供的晶体管的第三结构示意图；图3E为本专利技术实施例提供的晶体管的第四结构示意图；图3F为本专利技术实施例提供的晶体管的第五结构示意图；图3G为本专利技术实施例提供的晶体管的第六结构示意图；图3H为本专利技术实施例提供的晶体管的第七结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的另外ー种晶体管结构图。具体实施例方式采用本专利技术实施例提供的晶体管制作方法，可获得两个共用同一个第一源极和漏极金属层的OTFT ;如图3H所示，左侧的OTFT由下至上的结构为第一源极和漏极金属层、第一绝缘区域、第一栅极区域、栅极绝缘层、半导体层、刻蚀阻挡层以及源极区域；右侧OTFT由下至上的结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2012.03.30 CN 201210091052.51.一种晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括 在基板上形成第一源极和漏极金属层； 在所述第一源极和漏极金属层上形成绝缘层；所述绝缘层包含第一绝缘区域和第二绝缘区域，所述第一绝缘区域和第二绝缘区域位于相对于第一源极和漏极金属层中心线相对设置且具有一空白区域； 在所述绝缘层上形成栅极金属层；所述栅极金属层包含第一栅极区域和第二栅极区域，且所述第一栅极区域覆盖所述第一绝缘区域，所述第二栅极区域覆盖所述第二绝缘区域； 在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成半导体层；所述半导体层的正投影区域覆盖所述第一源极和漏极金属层； 在所述半导体层上形成刻蚀阻挡层；所述刻蚀阻挡层的正投影区域覆盖所述第一绝缘区域与所述第二绝缘区域之间的空白区域； 在所述刻蚀阻挡层上形成第二源极和漏极金属层；所述第二源极和漏极金属层包括源极区域和漏极区域的第二源极和漏极金属层；所述源极区域形成的正投影区域覆盖所述半导体层与所述第一栅极区域的重叠部分；所述漏极区域形成的正投影区域覆盖半导体层与第二栅极区域的重叠部分； 在所述第二源极和漏极金属层上形成绝缘层。2.如权利要求I所述的方法，其特征在于，还包括，在所述栅极金属层上形成栅极绝缘层后，将所述空白区域的栅极绝缘层进行刻蚀。3.如权利要求I所述的方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上形成半导体层包括 在所述栅极绝缘层上溅射铟镓锌氧化物，刻蚀后形成半导体层。4.如权利要求I所述的方法，其特征在于，在所述半导体层上形成刻蚀阻挡层包括 在所述半导体层上溅射无机非金属材料，刻蚀后形成刻蚀阻挡层。5.如权利要求I所述的方法，其特征在于，在所述第二源极和漏极金属层上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜春生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：