本发明专利技术实施例公开了基于双界面智能卡芯片实现的SD卡及射频信号放大装置，该SD卡支持接触式和非接触式SD卡应用，包括：射频天线、双界面智能卡芯片和SD卡芯片，其中，在所述射频天线和双界面智能卡芯片之间还设置能够增强所述射频天线的射频信号的信号放大电路，射频天线感应的射频信号经所述信号放大电路放大后传输至所述双界面智能卡芯片中，为了增强射频信号，还可以在SD卡内部增设一层铁磁性材料，增强SD卡区域内的磁通密度。本发明专利技术实施例可以将双界面智能卡芯片应用在SD卡中，在不改变SD尺寸的情况下将射频天线与SD卡结合成整体，既使SD卡具备非接触功能，而且在使用和外形上和普通SD卡没有什么区别。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据库
，特别是涉及ー种基于双界面智能卡芯片实现的SD卡、射频信号放大装置及移动终端。
技术介绍
射频识别技术(Radio Frequency Identification,RFID)是通过磁场或电磁场进行能量和数据传输，利用无线射频方式达到非接触双向通信功能。由于射频识别技术无需直接接触，而且操作灵活快捷，因此广泛应用于交通、物流、医疗、金融等领域。而在智能卡领域，使用接触式智能卡会出现接触点的腐蚀、磨损造成智能卡的使用寿命的降低，而且接触卡的通讯效率低，响应时间长等缺点，受到使用范围的限制，因此近年来在RFID技术的推动下，也逐渐在不同应用环境中使用非接触式智能卡来代替接触式智能卡。以13.56MHz作为工作频率的高频非接触卡具有安全、方便、数据传输快等优点，逐渐在卡片市场中独占鳌头。 參考图I所示，为现有技术中智能卡应用的结构示意图。在智能卡应用环境下，所示的应答器20则为ー张小型的塑料卡片(标准尺寸为85. 72mm*54. 03mm*0. 76mm)，(Integrated Circuit,集成电路板)IC芯片和感应天线完全封装在一个标准的永久虚电路(Permanence Virtual Circuit)PVC卡片内，天线无任何外露部分。非接触智能卡是无源卡，它通过天线获取读写器传输的射频能量不仅能够激励非接触卡为芯片供电，并且还可以通过载波调制传输数据。为了实现双界面(Subscriber Identity Module,客户识别模块)SIM卡，目前有SMPass方案用于解决SM卡的非接触应用。SMPass非接触接ロ工作在13. 56MHz频率下，它采用了 “卡片+天线”的方式。其中卡体部分和一般的SIM卡ー样安装在手机的SIM卡槽内，并引出两个天线引脚。IC卡则通过该天线引脚连接外置天线，实现无线传输功能。工作在13. 56MHz频率的非接触智能卡为了获取足够的磁场，一般其天线线圈尺寸较大，完全超出SD卡的尺寸，更不用说MiniSD卡了，若仅是简单的缩小天线线圈尺寸将目前非接触智能卡上的射频技术应用在SD卡中会造成非接触SD卡与读写器间的天线线圈互感量不足，无法满足实际需要。若采用SMPass方案，由于SD卡一般都是外接在手机侧面，因此无法实现象SIMPass 一祥将天线和SM卡都内置于手机内，这样在SD卡上连接一外置天线，不仅造成不美观，还会导致用户难以操作，而且外置天线还容易断裂，影响使用。而且工作频率为13.56MHz的射频信号无法穿越金属材料，若限制具备SD卡插槽的手机必须为非金属制品这不大现实。综上所述，如何提供一种基于双界面智能卡芯片实现的SD卡，来解决上述问题，以扩展射频技术在SD卡上的应用，同时也不影响实际中SD卡对电流的需求以及无法穿越金属材料的问题，就成为本领域技术人员需要解决的ー个技术问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种基于双界面智能卡芯片实现的SD卡，在不减小SD卡尺寸的情况下，还能很好的应用无线射频技术，并且也不需要接外置天线。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种基于双界面智能卡芯片实现的SD卡，所述SD卡支持接触式和非接触式SD卡应用，包括射频天线、双界面智能卡芯片和SD卡芯片，所述SD卡芯片包括接ロ电路、控制模块和存储单元，所述接ロ电路与外部设备相连，所述控制模块解析所述接ロ电路的命令并对所述存储单元执行相应的操作；所述射频天线通过所述双界面智能卡芯片与所述SD卡芯片的控制模块连接；其中，在所述射频天线和双界面智能卡芯片之间还设置能够增强所述射频天线的射频信号的信号放大电路，射频天线感应的射频信号经所述信号放大电路放大后传输至所述双界面智能卡芯片中，由所述双界面智能卡芯片对所述射频信号进行解码处理并直接处理解码后的命令或是将此命令转发至所述控制模块；所述SD卡内部采用磁场聚集方法，在SD卡内部增设ー层高磁导率的铁磁性材料，以使更多的磁感应线沿着SD卡区域通过；所述SD卡通过所述射频天线以无线的方式与外部非接触式设备进行通讯。可选的，所述信号放大电路具体为调谐放大器。可选的，所述高磁导率材料采用铁、钴、镍、各种合金以及铁氧体。可选的，所述外部设备为与SD卡没有接触的外部接触式设备；所述SD卡通过外部设备的缝隙和外部非接触设备通讯，所述高导磁率的材料聚集的磁力线通过所述外部设备的缝隙穿过所述射频天线。可选的，所述双界面智能卡芯片包括射频接ロ模块、整流稳压模块、调制/解调器、微处理器和时钟复位模块。可选的，所述SD卡的射频天线的工作频率为13. 56Mhz。 可选的，所述外部设备为与SD卡没有接触的外部非接触设备，则由所述SD卡与所述外部设备的触点为所述SD卡芯片供电。本专利技术还提供了一种基于双界面智能卡芯片实现的射频信号放大装置，包括射频天线、能够增强所述射频天线的射频信号的信号放大电路和双界面智能卡芯片;其中，所述射频天线感应的射频信号经所述信号放大电路放大后传输至所述双界面智能卡芯片中，所述双界面智能卡芯片将所述放大后的信号进行解码处理并直接处理解码后的命令或者转发所述命令至与其相连的芯片；所述信号放大装置内部采用磁场聚集方法，在信号放大装置内部增设ー层高磁导率的铁磁性材料，以使更多的磁感应线沿着信号放大装置区域通过。本专利技术实施例还提供了一种移动終端，在所述移动终端的SD卡的卡槽内用于卡和前述任ー项SD卡。从上述的技术方案可以看出，在本专利技术实施例中，在无需更改移动终端接ロ(例如手机接ロ)或是SD卡接ロ的情况下，可以将双界面智能卡芯片应用在SD卡中，在不改变SD尺寸的情况下将射频天线与SD卡结合成整体，既能使得SD卡具备非接触功能，而且在使用上和外形上和普通SD卡没有什么区別。 本专利技术实施例提出的SD卡支持接触式和非接触式应用，在非接触工作方式下，SD卡内部电路仍由SD触点供电，因而SD卡内部天线主要负责无线传输功能。由于SD卡的尺寸较小，无法布置足够横截面的天线线圈，因此本专利技术实施例进ー步采用的信号放大电路的方式可以放大射频信号，并通过磁场聚集的方法，如在SD卡内部增设ー层铁磁性材料层，使得SD卡通过手机缝隙获得更多的射频信号，增强了射频信号。为了增强射频信号，还可以在SD卡内部增设ー层高磁导率的铁磁性材料，以使更多的磁感应线沿着SD卡区域通过，增强SD卡区域内的磁通密度，使射频天线通过手机缝隙获得更多的磁通量，增强射频信号。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的ー些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中智能卡应用的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的SD卡的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的SD卡在手机中应用的结构示意图；图4为增设了高导磁层的SD卡在手机中进行应用的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的射频信号放大装置的结构示意图。具体实施例方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭伟，孙敏，
申请(专利权)人：东信和平智能卡股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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