光机模块及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种光机模块及其制作方法，上述光机模块包括一承载基板；一发光二极管，其具有一发光面和一背面，其中上述发光二极管的上述背面固定于上述承载基板上：以及一第一电极，设置于上述发光二极管和上述承载基板之间，并连接至上述发光二极管的上述背面，其中上述第一电极与上述背面的一重叠面积为上述背面的面积的50％至100％之间；以及一第一导线层和一第二导线层，顺应性形成于上述承载基板上，且分别电性连接至上述第一电极和上述发光面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种
技术介绍
现有的光机模块工艺通常会先将发光组件(例如发光二极管(LED))芯片封装至具有二次光学特性的封装支架(lead frame)中形成封装单元，之后再将上述封装单元固定至具有电路连结及散热特性的板材(也可称为散热块(heat-sinking slug))上。然而,上述现有的光机模块会造成许多缺点。缺点之一为现有光机模块的发光组件为光机模块的主要发热源，其所产生的热必须经由组件基板而后再透过封装支架或散热，因此，发光组件的散热形式属于间接式散热，并无法直接将组件所产生的热的散逸至外界。特别是在高功率光机模块的应用上，发光组件的旋光性及使用寿命会因封装结构的散热效率不佳而衰减。此外，现有的光机模块中的发光组件芯片，必须等待发光组件晶圆完成工艺分离出多个发光组件芯片后，测量光电特性及挑选出来符合一特定光电特性规格发光组件芯片方能使用。然而，上述现有工艺无法有效预估及设计光机模块的性能。此外，剩余下来的不符合特定光电特性规格的发光组件芯片会造成工艺成本无法下降的缺点。在此
中，有需要一种，其可避免现有技术产生的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的一实施例是提供一种光机模块的制作方法，上述光机模块的制作方法包括提供数个发光二极管测试结构，其中每一个上述些发光二极管测试结构包括一成长基板；一发光二极管迭层，位于上述成长基板上；一第一电极，设置于上述发光二极管迭层的一第一表面上，其中上述第一电极与上述第一表面的重叠面积为上述第一表面的面积的50%至100%之间；以及一第二电极，设置于上述发光二极管迭层的一第二表面上；将符合一特定光电特性规格的上述些发光二极管测试结构挑选出来并固定于一承载基板上；移除每一个挑选出来的上述些发光二极管测试结构的上述成长基板、上述第二电极和部分上述发光二极管迭层，以形成数个发光二极管；以及形成数条第一导线层和数条第二导线层，其中上述些第一导线层分别电性连接至上述些发光二极管的上述些第一电极，且其中上述些第二导线层分别电性连接至上述些发光二极管的发光面。本专利技术的另一实施例是提供一种光机模块，上述光机模块包括一承载基板；一发光二极管，其具有一发光面和一背面，其中上述发光二极管的上述背面固定于上述承载基板上以及一第一电极，设置于上述发光二极管和上述承载基板之间，并连接至上述发光二极管的上述背面，其中上述第一电极与上述背面的一重叠面积为上述第一表面的面积的50%至100%之间；以及一第一导线层和一第二导线层，顺应性形成于上述承载基板上，且分别电性连接至上述第一电极和上述发光面。附图说明图I 5为本专利技术实施例的光机模块的工艺剖面图。附图标记200 :测试板；202 :成长基板；204,204a :发光二极管迭层； 206:第一电极；207 :第一表面；208,212 :金属层；209 :第二表面；210:第二电极；211、221、222 :侧壁；214 :承载基板；216:凹槽；218 :绝缘层；220 :底面；223 :背面；224 :第一导线层；226 :第二导线层；228 :发光面；230 :荧光层；232 :封装材料；250、250a :发光二极管测试结构；260 :发光二极管；A1、A2:面积；500 :光机模块。具体实施例方式以下以各实施例详细说明并伴随着图式说明的范例，做为本专利技术的参考依据。在附图或说明书描述中，相似或相同的部分皆使用相同的图号。且在图式中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，附图中各组件的部分将以分别描述说明的，值得注意的是，图中未显示或描述的组件，为所属
普通技术人员所知的形式，另夕卜，特定的实施例仅为揭示本专利技术使用的特定方式，其并非用以限定本专利技术。图I 5为本专利技术实施例的光机模块的工艺剖面图。本专利技术实施例的光机模块的制作方法是特别于发光组件芯片工艺步骤中挑选出符合一特定光电特性规格发光组件，可有效预估及设计光机模块的性能。此外，挑选出的发光组件直接藉由一具有电路连结及散热特性的承载基板做直接导热，可以延长发光组件的旋光性及寿命。如图I所示，首先，提供数个分离的发光二极管测试结构250。在本专利技术一实施例中，发光二极管测试结构250的电极设置是方便做为后续测量光电特性的步骤之用，其为一芯片工艺期间的结构，并非为一最终结构(意即发光二极管芯片)。在本专利技术一实施例中，每一个发光二极管测试结构250可包括一成长基板202。在本专利技术一实施例中，成长基板202的材质可包括半导体材料或蓝宝石(sapphire)。一发光二极管迭层204,位于成长基板202上。在本专利技术一实施例中，成长基板202和发光二极管迭层204之间可设置有一缓冲层(图未显示)。在本专利技术一实施例中，发光二极管迭层204可由具有P型-η型接面(pn junction)的半导体层构成，其包括至少两个电性连接的一 P型半导体层和一 η型半导体层(图未显示)，以及P型半导体层和η型半导体层之间的一发光半 导体层(图未显示)，用于发光二极管迭层204的半导体层可包括氮化镓(GaN)、氮化镓铟(GaInN)等材质。在本实施例中，发光二极管迭层204的η型半导体层和P型半导体层沿着垂直于成长基板202表面的方向堆栈。值得注意的是，在本专利技术一实施例中，为使发光二极管测试结构250的光电特性易于测量，是设计使发光二极管迭层204暴露出η型半导体层的一第一表面207和暴露出ρ型半导体层的一第二表面209皆是位于发光二极管迭层204的同一侧且两者不共平面，并且，发光二极管迭层204是具有连接第一表面207和第二表面209的一侧壁211。如图I所示，每一个发光二极管测试结构250还包括一第一电极206和一第二电极210,分别设置于发光二极管迭层204的第一表面207和第二表面209上,其中第一电极206可提供为后续光电特性测量的电性接触以及可做为发光二极管芯片最终结构的电极之一。值得注意的是，发光二极管测试结构250的第二电极210仅提供作为后续光电特性测量的电性接触，但并非作为发光二极管芯片最终结构的电极之一。值得注意的是，在本专利技术一实施例中，为使发光二极管测试结构250的光电特性易于测量(意即使得光电特性测量仪器易于与发光二极管测试结构250电性接触而不需精确的对准步骤)，系设计使第一电极206与第一表面207的重叠面积Al是设计为第一表面的面积Α2的50%至100%之间。此外，每一个发光二极管测试结构250还包括一金属层208，位于发光二极管测试结构250的第一表面207上,且覆盖第一电极206。金属层208可更增加发光二极管测试结构250的第一电极206与光电特性测量仪器电性接触的面积。接着，再如图I所示，将数个发光二极管测试结构250设置于一测试板200上，以测量每一个发光二极管测试结构250的光电特性。在本专利技术一实施例中，测试板200可为例如胶带之一绝缘板。如图I所示的发光二极管测试结构250的电极设置位置及测试结构的设置方式可以于发光组件芯片工艺步骤中一次测量多个发光二极管测试结构250的光电特性，可有效预估及设计光机模块的性能，不需等到完成芯片工艺才得知上述光电特性。在本专利技术一实施例中，不符合一特定光电特性规格的发光二极管测试结构250本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.03.01 TW 1001066121.一种光机模块的制作方法，包括下列步骤 提供数个发光二极管测试结构，其中每ー个所述发光二极管测试结构包括 一成长基板； ー发光二极管迭层，位于该成长基板上； 一第一电极，设置于该发光二极管迭层的ー第一表面上，其中该第一电极与该第一表面的重叠面积为该第一表面的面积的50%至100%之间；以及一第二电极，设置于该发光二极管迭层的ー第二表面上； 将符合一特定光电特性规格的所述发光二极管测试结构挑选出来并固定于ー承载基板上； 移除每ー个挑选出来的所述发光二极管测试结构的该成长基板、该第二电极和部分该发光二极管迭层，以形成数个发光二极管；以及 形成数条第一导线层和数条第二导线层，其中所述第一导线层分别电性连接至所述发光二极管的所述第一电极，且其中所述第二导线层分别电性连接至所述发光二极管的发光面。2.根据权利要求I所述的光机模块的制作方法，还包括将所述发光二极管测试结构设置于ー测试板上，以分别測量所述发光二极管测试结构的光电特性。3.根据权利要求I所述的光机模块的制作方法，其中所述发光二极管的所述第一电极连接至该承载基板。4.根据权利要求I所述的光机模块的制作方法，形成所述第一和第二导线层的前还包括顺应性于该承载基板和所述发光二极管上形成ー绝缘层。5.根据权利要求I所述的光机模块的制作方法，还包括 于所述发光二极管的所述发光面上形成一突光层； 形成一封装材料，覆盖该荧光层、所述发光二极管以及所述第二导线层。6.根据权利要求I所述的光机模块的制作方法，其中每ー个所述发光二极管测试结构的该发光二极管迭层的该第一表面和该第二表面皆位于每ー个所述发光二极管测试结构的同一侧，且两者不共平面。7.根据权利要求6所述的光机模块的制作方法，其中每ー个所述发光二极管测试结构的该发光二极管迭层具有连接该第一表面和该第二表面的ー侧壁。8.根据权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳恩，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：