大型X射线探测器制造技术

本发明专利技术提供一种大型X射线探测器，该X射线探测器包括：在印刷电路板上的多个芯片，所述多个芯片中的每个芯片包括在所述印刷电路板的中央部分上的多个像素焊盘和围绕所述多个像素焊盘的多个引脚焊盘；布置在所述多个芯片上且与所述多个芯片相应的多个像素电极；电连接所述多个像素电极和所述多个像素焊盘的再分配层；在一表面上的多个第一电极焊盘，所述表面与所述多个芯片的包括所述多个引脚焊盘的表面相反；电连接所述多个第一电极焊盘和所述多个引脚焊盘的布线；形成在所述多个像素电极上的光电导体；以及形成在所述光电导体上的公共电极。

【技术实现步骤摘要】

示例实施方式涉及可以实现无缝图像的大型X射线探测器。
技术介绍
数字X射线探测器利用X射线以数字信号形式输出X射线图象照片或X射线荧光图像。X射线探测器可以是直接型和/或间接型。根据直接型，光电导体将X射线直接转换成电荷。在间接型中，闪烁器将X射线转换成可见光，并且光电转换装置诸如光电二极管将转换的可见光转换成电荷。直接型X射线探测器包括形成在光电导体层下面的多个像素电极以及用于处理从像素电极输出的电信号的信号处理单元。根据相关技术，因为光电导体层形成在专用集成电路(ASIC)上从而制造大型的直接型X射线探测器，当其上具有光电导体层的ASIC大规模平铺时，由于ASIC之间的接缝(seam)，接缝区域中检测不到图像。具体地，在平铺ASIC时，可以产生具有至少100 尺寸的接缝，因而可能检测不到在接缝内存在的组织(tissue)。当通过平铺ASIC制造大型X射线探测器并且在已完成后段(BEOL)工艺的晶圆(wafer)上执行ASIC中的通孔形成工艺时，具有数百微米深度的孔形成在晶圆上以接触金属焊盘(pad)，孔的内壁通过绝缘膜绝缘，并且孔用导电金属填充。为了实施该工艺，采用不常用于硅工本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金尚昱，金昌桢，朴宰彻，金善日，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：