【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及原子层沉积设备
，特别涉及一种立式原子层沉积设备。
技术介绍
目前，光伏产业面临的一个主要问题是在增加转换效率的同时保证工业化生产的经济性和技术可行性。通过原子层沉积设备对晶体硅太阳能电池硅片进行表面钝化已经被证明是一种有效的提高转换效率的方法。现有的原子层沉积设备均采用卧式方案，其缺点如下I)现有原子层沉积设备中，送片机构通常设置于主腔室内，这种原子层沉积设备在长期使用后，由于送片机构的导轨磨损而残留在腔室内的金属碎末会污染腔室环境，影响成片质量；2)整个生产过程需要的横向操作空间较大。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提出了一种送片机构设置于主腔室之外，从而避免由于送片机构的导轨磨损产生金属碎末而对成片质量造成影响，并且，充分利用垂直空间，从而占地面积小的立式原子层沉积设备。本专利技术提供的立式原子层沉积设备包括主腔室和送片机构，所述送片机构设置于所述主腔室的外部，所述送片机构将硅片从所述主腔室外部送入到所述主腔室内部。作为优选，所述送片机构与所述主腔室的相对位置关系是竖直的。作为优选，所述送片机构设置于所述主腔室之上。作为优选,所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘传钦，屈芙蓉，李超波，
申请(专利权)人：嘉兴科民电子设备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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