存储器抑制电压稳压电路制造技术

一种存储器抑制电压稳压电路，包括：第一运算放大器，第一运算放大器的同相输入端与第一基准电压源相连；第二运算放大器，第二运算放大器的同相输入端与稳压电路的输出端相连；第一NMOS晶体管，第一NMOS晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端相连，漏极与电源相连；第二NMOS晶体管，第二NMOS晶体管的栅极与第二运算放大器的输出端相连，源极接地第二NMOS晶体管的漏极与第一NMOS晶体管的源极、第一运算放大器的反相输入端、第二运算放大器的同相输入端相连并作为稳压电路的输出端。本发明专利技术的存储器抑制电压稳压电路能提供足够大的驱动电流，并且反应灵敏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储器电路，特别涉及一种具有上拉和下拉功能的存储器抑制电压稳压电路。
技术介绍
存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。存储器的主要功能是存储程序和各种数据，并能在计算机运行过程中高速、自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“记忆”功能的设备，它采用具有两种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。在计算机中采用只有两个数码“O”和“I”的二进制来表示数据。记忆元件的两种稳定状态分别表示为“O”和“I”。日常使用的十进制数必须转换成等值的二进制数才能存入存储器中。计算机中处理的各种字符，例如英文字母、运算符号等，也要转换成二进制代码才能存储和操作。存储器按存取方式可以分为随机存储器、串行访问存储器和只读存储器。(I)随机存储器(Random Access Memory, RAM):如果存储器中任何存储单元的内容都能被随机存取，且存取时间与存储单元的物理位置无关，则这种存储器称为随机存储器(RA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器抑制电压稳压电路，其特征在于，包括 第一运算放大器，第一运算放大器的同相输入端与第一基准电压源相连，所述第一基准电压源用于提供第一基准电压，当同相输入端电压大于反相输入端电压时，第一运算放大器的输出端输出高电平； 第二运算放大器，第二运算放大器的反相输入端与第二基准电压源相连，所述第二基准电压源用于提供第二基准电压，且第二基准电压大于第一基准电压，当同相输入端电压大于反相输入端电压时，第二运算放大器的输出端输出高电平； 第一 NMOS晶体管,第一 NMOS晶体管的栅极与第一运算放大器的输出端相连，第一 NMOS晶体管的漏极与工作电源相连； 第二 NMOS晶体管，第二 NMOS晶体管的栅极与第二运算放大器的输出端相连，第二 NMOS晶体管的源极接地，第二 NMOS晶体管的漏极与第一 NMOS晶体管的源极、第一运算放大器的反相输入端、第二运算放大器的同相输入端相连并作为稳压电路的输出端。2.如权利要求I所述的存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，杨光军，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：