蒸发器制造技术

一种固态前体输送组件(200)，所述固态前体输送组件通常包括：容器(202)，该容器具有上部和下部；和被限定在所述容器内的室，所述室包括入口室(238)、出口室(244)以及第一和第二前体室(240，242)。第一和第二前体室构造成用来将前体材料保持在容器内。烧结基板(248，250，252)固定地联接且密封到容器的内部，并且限定容器内的所述室的至少一部分。所述烧结基板的至少一个构造成用来在第一前体室内在其上保持前体材料，并且所述烧结基板的至少一个构造成用来在第二前体室内在其上保持前体材料。入口(206)联接到所述容器以便将载流气体输送到容器中，并且出口(208)联接到容器以便用来从所述容器移除蒸发的前体材料和载流气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体上涉及固态前体输送组件，并且更具体地涉及具有分开的室的固态前体输送组件和相关方法，该分开的室用于改善所述固态前体输送组件内的载流气体饱和度。
技术介绍
这个部分提供与本公开有关的背景信息，该背景信息不一定是现有技术。在半导体工业中，经常通过沉积工艺(例如，化学汽相沉积(CVD)、原子层沉积 (ALD)，等等)生产电子装置。典型地，液体或固态前体被供应例如在容器中，诸如氮气或氢气的载流气体可以通过浸渍管穿过该容器使得该气体变得充满前体。然后，载流气体/前体蒸汽混合物以受控的速率进入外延反应器。这种系统用于硅和复合半导体的生产。重要的是，汽相的化学物质的浓度是极其稳定的。常规单用途式系统提供的沟道效应和不均勻的表面可以导致前体的可变的蒸发，在气体/前体浓度中引起波动。这种波动对沉积过程是不利的。在诸如三甲基铟(TMI)的固态前体的情况下，这特别明显。在有机金属化学汽相沉积(MOCVD)系统中，当制造高度复杂的装置结构时，到反应室中的前体的稳定的、可控制的流量是重要的。典型地，简单的输送系统设计用于执行这个任务，载流气体流和源温度控制能够提供合适地稳定的系统。然而，例如强加于MOCVD设备的日益增加的体积需求使得增加的流和/或较大的系统成为必要。这些典型的输送系统设计不再适于满足这些要求。
技术实现思路
这个部分提供本公开的总结，并且不是其全部范围或所有其特征的全面公开。本公开的示例实施例通常涉及固态前体输送组件。在一个示例实施例中，固态前体输送组件通常包括容器；至少两个室，所述至少两个室被限定在所述容器内并且构造成将前体材料保持在相应的至少两个室中的每一个室内；至少两个多孔分隔件，所述至少两个多孔分隔件固定地联接到所述容器并且限定构造成保持前体材料的所述至少两个室的至少一部分；入口，所述入口联接到所述容器以便将载流气体输送到所述容器中；和出口，所述出口联接到所述容器以便从包括蒸发的前体材料和载流气体的所述容器移除蒸汽产物。在另一示例实施例中，固态前体输送组件通常包括容器，该容器具有上部和下部。 四个室被限定在所述容器内，该四个室包括入口室、出口室以及第一和第二前体室。第一和第二前体室构造成用来将前体材料保持在容器内。三个烧结基板(frit)固定地联接并且密封到容器的内部。该三个烧结基板在容器内限定四个室的至少一部分。所述烧结基板的至少一个构造成用来在第一前体室内在其上保持前体材料，并且所述烧结基板的至少一个构造成用来在第二前体室内在其上保持前体材料。入口联接到所述容器的上部以便将载流气体输送到所述容器中。出口联接到所述容器的下部以便用来从包括蒸发的前体材料和载流气体的所述容器移除蒸汽产物。本公开的示例实施例通常涉及通过多室固态前体输送组件中的载流气体获取蒸发的前体材料的方法。一个示例方法通常包括将载流气体输送到多室固态前体输送组件并且将载流气体保持在多室固态前体输送组件的第一前体室的、大体上在布置在第一前体室内的前体材料上方的顶部空间内，直到跨越将第一前体室与第二前体室分离的多室固态前体输送组件的第一烧结基板存在希望的压力差，此时，所述载流气体和被所述载流气体获取的蒸发的前体材料通过所述第一烧结基板流到第二前体室。该示例方法通常还包括 将所述载流气体保持在所述多室固态前体输送组件的所述第二前体室的、大体上位于布置在所述第二前体室内的前体材料上方的顶部空间内，直到跨越将所述第二前体室与第三室分离的所述多室固态前体输送组件的第二烧结基板存在希望的压力差，此时，所述载流气体和被所述载流气体获取的蒸发的前体材料通过所述第二烧结基板流到所述第三室；和从所述多室固态前体输送组件移除所述载流气体和由所述载流气体获取的蒸发的前体材料。根据这里提供的描述，另外的应用领域将变得显然。这个总结中的描述和具体示例意图仅用于说明的目的并且不意图限制本公开的范围。附图说明这里描述的附图仅用于选定实施例的并且不是所有可能实施的说明性目的，并且不意图限制本公开的范围。图1是包括本公开的一个或更多个方面的固态前体输送组件的示例实施例的透视图；图2是图1的固态前体输送组件的前视图；图3是图1的固态前体输送组件的侧视图；图4是图1的固态前体输送组件的上平面图；图5是沿包括图4中的线5-5的平面截取的图1的固态前体输送组件的剖视图；图6是包括本公开的一个或更多个方面的固态前体输送组件的另一示例实施例的正视图，固态前体输送组件的容器的一部分被拆除以示出内部构造；图7是Epison浓度监测图表，示出图1的示例固态前体输送组件在该组件的示例操作期间的三甲基铟(TMI)的输送浓度百分比分布；并且图8是Epison浓度监测图表，示出图1的示例固态前体输送组件在该组件的另一示例操作期间的TMI的输送浓度百分比分布。贯穿附图的多个视图，对应的附图标记指示对应的部件。具体实施例方式现在将参考附图更完整地描述示例实施例。提供示例实施例使得本公开将是彻底的，并且将把范围完全传送到本领域技术人员。阐述许多具体细节(诸如具体部件、装置和方法的示例)以提供本公开的实施例的彻底理解。对于本领域技术人员来说将显然的是，不需要使用具体细节，示例实施例可以以许多不同形式被实施，并且两者都不应当被解释为限制本公开的范围。在一些示例实施例中， 不详细描述熟知的过程、熟知的装置结构和熟知的技术。这里使用的术语仅仅是为了描述特定的示例实施例并且不意图是限制性的。如这里使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”可以意图也包括复数形式，除非上下文清楚地表示不是这样。术语“包括”、“包含”、“含有”和“具有”是包括性的并且因此指定所述的特征、 整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组成的组的存在或添加。这里描述的方法步骤、过程和操作将不被解释为一定要求它们以论述的或示出的特定顺序执行，除非被特别地确定为执行的顺序。 还应当理解，可以使用另外的或替代的步骤。当元件或层被称为“在...上”、“接合到”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时， 它可以直接在其它元件或层上、接合、连接或联接到其它元件或层，或者中介元件或层可以存在。相比之下，当元件被称为“直接在...上”、“直接接合到”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，可以不存在中间元件或层。用于描述元件之间的关系的其它语言应当以相似的方式被解释(例如，“在...之间”对“直接在...之间”，“接近”对“直接接近” 等等)。如这里使用的，术语“和/或”包括相关列出项目的一个或更多个的任何和所有组合。虽然术语第一、第二、第三等等在这里可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/ 或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语可以仅用于区别一个元件、部件、区域、层或部分与另一区域、层或部分。诸如“第一”、“第二”的术语和其它数字术语当在这里使用时不暗指次序或顺序，除非由上下文清楚地指示。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不偏离示例实施例的教导。诸如“内部”、“外部”、“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等等的空间相对术语在这里可以为便于描述而用来描述如图中示出的一个元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·坎乔利亚，C·普拉特斯，N·源，M·维尔金森，
申请(专利权)人：西格玛奥吉奇有限责任公司，
类型：发明
国别省市：