铜锌锡硫墨水的制备方法技术

本发明专利技术公开一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,CZTS)墨水的制备方法。该方法优选为：采用薄膜分散技术原位沉积合成Cu，Zn，Sn的硫化物作为制备Cu2ZnSnS4的前驱体；硫化物前驱体在真空或惰性气氛下烧结得到Cu2ZnSnS4块体；在分散剂的辅助下，将Cu2ZnSnS4块体在球磨罐中机械粉碎得到分散均匀，稳定性高的Cu2ZnSnS4墨水。本发明专利技术采用薄膜分散法来制备高质量的Cu2ZnSnS4材料前驱体，烧结温度低，设备要求简单，产率高，适用于规模化生产，且所得墨水可以用于低成本，大面积化生产Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池及其它光电器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术特别涉及一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4, CZTS )墨水的制备方法，属于光电材料领域。
技术介绍
大面积低成本太阳能电池的概念随着电子印刷技术的发展应运而生；对应p-n结型的电池而言就要求制备出高性能P型半导体，η型半导体，以及氧化物窗口层等材料的墨水。最近有报道Nano solar公司采用印刷法制备的铜铟镓硒(CuInGaSe2, CIGS)薄膜电池效率已达17. 1%，已接近真空沉积CIGS电池的效率(20. 3%)，说明采用印刷技术完全可能得到与传统真空技术相媲美的太阳能电池转换效率。相比于传统的溅射和蒸发等高温真空沉积技术，印刷法制备薄膜太阳能电池将大幅度降低生产成本，将是未来太阳能电池的发展趋势。CuInGaSe2中元素In, Ga为稀有金属；而Se为有毒元素,对环境友好不利,所以目前研究人员一方面极力改进CuInGaSe2的制备工艺，通过降低成本，提高光电转换效率来提高该种电池的生产效益；另一方面积极寻求开发CuInGaSe2的替代材料。其中铜锌锡硫 (Cu2ZnSnS4)的晶体结构与CuInGaSe2十分类似，为P型半导体；其禁带宽度为I. 4^1. 5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬松，吕文辉，陈立桅，马昌期，骆群，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：