【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体薄膜制备方法，特别涉及一种利用电沉积制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法。
技术介绍
电沉积是一种制备半导体薄膜的方法，它具有工艺简单、易操作、易大面积成膜的优点，已经用于制备二元、三元和四元薄膜。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利用电沉积硫化后处理技术制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：①将Mo电极打磨、抛光、丙酮、乙醇洗后吹干；②以Mo电极为工作电极、Pt电极为对电极、Hg2Cl2/Hg为参比电极，用电化学工作站分别沉积Cu、Sn、Zn层；③将沉积好的Mo、C、Sn及Zn膜放入特制的石英瓶中，瓶里放有硫粉，一起放入通氮气的管式炉，以15～20℃/分钟的速率升温，当温度升至550℃时，保温30分钟～2小时；④停止加热，冷却系统至室温，结束硫化。本专利技术所述的一种制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法所述的特制的石英瓶的结构特征在于：是锥形，底的直径为21mm，上口径为10～15mm，高度为15～20mm。本专利技术所述的一种制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法的步骤③所述的加热石英瓶的方法是：以15～20℃/分钟的速率升温，当温度升至550℃时，保温30分钟～2小时。本专利技术的优点是：制备方法简单，容易操作，制备成本低，容易推广应用。附图说明图1为制备方法流程图。图2为本专利技术的实施例制备的Cu2ZnSnS4薄膜...
【技术保护点】
一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①将Mo电极打磨、抛光、丙酮、乙醇洗后吹干；②以Mo电极为工作电极、Pt电极为对电极、Hg2Cl2/Hg为参比电极，用电化学工作站分别沉积Cu、Sn、Zn层；③将沉积好的Mo、Cu、Sn及Zn膜放入特制的石英瓶中，瓶里放入硫粉，再将石英瓶放入通氮气的管式炉，以15～20℃/分钟的速率升温，当温度升至550℃时，保温30分钟～2小时；④停止加热，冷却系统至室温，结束硫化。
【技术特征摘要】
1.一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
①将Mo电极打磨、抛光、丙酮、乙醇洗后吹干；
②以Mo电极为工作电极、Pt电极为对电极、Hg2Cl2/Hg为参比电极，用
电化学工作站分别沉积Cu、Sn、Zn层；
③将沉积好的Mo、Cu、Sn及Zn膜放入特制的石英瓶中，瓶里放入硫粉，
再将石英瓶放入通氮气...
【专利技术属性】
技术研发人员：任平，邓惠勇，戴宁，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
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