柔性PET基底ITO薄膜磁控溅射制备方法技术

柔性PET基底ITO薄膜磁控溅射制备方法，涉及电子材料技术。本发明专利技术包括以下步骤：(1)衬底预处理：去除衬底表面的污垢；(2)溅射前的准备：将清洗好的衬底置于真空环境中；(3)预溅射：在氩气环境下进行预溅射；(4)溅射镀膜：完成预溅射后，对有机衬底进行低温溅射镀膜，在镀膜过程中，对基片进行冷却，每次溅射时间控制在30min内，然后间隔10min～25min后继续溅射，直到薄膜达到预定厚度。本发明专利技术技术制备出的ITO薄膜在可见光波段范围内具有良好透过率，电阻率小，且制备方法简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于透明导电薄膜
，涉及运用射频磁控溅射技术制备柔性ITO薄膜的方法。
技术介绍
氧化铟锡(ITO)薄膜是一种重掺杂、高简并的n型半导体材料，它具有复杂的体心立方铁锰矿结构(即立方In203结构)，每个惯用元胞中的32个氧离子完全按尖晶石结构排列成立方密堆积，组成氧离子的面心立方子格子。在氧离子的面心立方子格子中，有氧四面体间隙位置(称为A位)和氧八面体间隙位置(称为B位)。尖晶石的分子式是AB204， 惯用元胞通式是A8B16032，即阳离子数氧离子数为24 32，而氧化铟分子式是In203，惯用元胞通式是In64/3032，这平均64/3个铟离子无规则地分布在A间隙和B间隙位置。与尖晶石结构相比，每个惯用元胞平均有8/3个阳离子空位。氧离子对氧离子的立方密堆积配位数为12，铟离子对铟离子的A位配位数是4，而B位配位数为8。ITO材料具有高的光学带隙，同时由于掺杂和组分缺陷两种半导化机制，使其具有高的可见光透过率和电导特性， 作为光电器件透明导电层具有广泛的科研和应用价值。专利CNlO 1054267公开了一种新型铟锡氧化物(ITO)薄膜的制备方法。其制备过程是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐武，殷学松，翁小龙，邓龙江，陈良，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：