具快-慢扫描的遮罩的离子植入制造技术

一种产生太阳能电池的改良方法，其利用在离子植入器中相对于离子束而固定的遮罩。朝向基板将所述离子束引导穿过所述遮罩中的多个孔。所述基板以不同速度移动，使得当所述基板以第一扫描速率移动时，所述基板暴露于一离子剂量率，且当所述基板以第二扫描速率移动时，所述基板暴露于第二离子剂量率。藉由修改所述扫描速率，可在对应的基板位置处将各种剂量率植入于所述基板上。此做法使离子植入能用于提供对于太阳能电池制造而言有利的精确的掺杂轮廓。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及元件制造领域。更特定而言，本揭示案是关于利用蔽荫遮罩 (shadow mask)的离子植入扫描方法。
技术介绍
离子植入是用于将更改导电性的杂质引入基板中的标准技术。基板中的精确的掺杂轮廓及相关联的薄膜结构对于合适的元件效能至关重要。一般而言，所需的杂质材料在离子源中经离子化，所述离子经加速以形成具有规定能量的离子束，且所述离子束被引导于基板的表面处。所述离子束中的高能离子渗入基板材料的整体中，且嵌入基板材料的晶格中以形成具有所需的导电性的区域。此离子植入器可用于形成太阳能电池。通常使用用于其它半导体元件的相同制程 (常将硅用作基板材料)而制造太阳能电池。半导体太阳能电池具有内建电场，所述电场分离经由将光子吸收入半导体材料中而产生的电荷载流子。此电场通常经由形成p-n接面 (二极管)而形成，所述p-n接面是藉由半导体材料的不同掺杂而形成。使用相反极性的杂质来掺杂半导体基板的一部分(例如，表面区)，形成可用作将光转换为电的光伏打元件的p-n接面。这些太阳能电池使用循环自然资源提供无污染、可平等获得的能量。归因于环境问题及能量成本上涨，太阳能电池在全球变得愈加重要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尼可拉斯·P·T·贝特曼，史蒂芬·M·恩尔拉，班杰明·B·里欧登，阿塔尔·古普塔，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：