金属氧化物半导体场效应管参数测试盒制造技术

本实用新型专利技术涉及一种金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，包括拨档开关和多个继电器，每个继电器与一个测试参数匹配，每个继电器的触点一端按照匹配的测试参数的接线要求连接图示仪信号端接口的一个接口或测试针接线端的一个接口，触点另一端连接图示仪信号端接口的一个接口或测试针接线端的一个接口；每个继电器的线圈的一端用于连接电源，线圈的另一端供拨档开关选择连接；拨档开关一端接地，拨档开关的另一端用于通过选择连接多个继电器中的其中一个继电器的线圈的另一端而选择测试参数。本实用新型专利技术采用拨档开关和继电器配合使用的方式，操作简单、能够在各个参数的测试之间快速切换。设备制作成本低，能通过大电流、实现大功率产品的测试。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

金属氧化物半导体场效应管参数测试盒
本技术涉及一种测试装置，尤其涉及一种金属氧化物半导体场效应管参数测"U^j 品.O
技术介绍
在使用图示仪测量和观察金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的特性曲线时， 要进行同一个MOSFET的不同测试参数的测试，包括Vth(阈值电压)、Ves(栅源电压)、 BVds (漏源间反向击穿电压)、Vfsd (源漏极正向压降)、Rds (漏源电阻)。在切换不同的测试参数时，需要在图示仪的信号端接口改变大量接线插口，测试工作效率很低，接线工作量大，且容易接错线。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种操作简单、能够在各个参数的测试之间快速切换的金属氧化物半导体场效应管参数测试盒。一种金属氧化物半导体场效应管参数测试盒，包括拨档开关和继电器模组；所述继电器模组包括多个继电器，每个继电器与一个测试参数匹配，每个继电器的触点的一端按照匹配的所述测试参数的接线要求连接图示仪的信号端接口的一个接口或测试针的接线端的一个接口，触点的另一端连接图示仪的信号端接口的一个接口或测试针的接线端的一个接口 ；每个继电器的线圈的一端用于连接电源，线圈的另一端供所述拨档开关选择连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁世轩，
申请(专利权)人：深圳深爱半导体股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：