熔丝结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种熔丝结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层，所述第一介质层内形成有与所述第一介质层齐平的第一电极；在所述第一介质层上第二介质层，所述第二介质层内形成有接触孔，所述接触孔露出下方的第一电极；在所述第一电极内形成功能层；在所述功能层上形成第二电极；形成覆盖所述第二电极和第二介质层的第三介质层。本发明专利技术的熔丝结构的制作方法能够与采用金属栅极和高K介质层的晶体管的制作方法兼容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及。
技术介绍
随着半导体工艺水平的改进以及集成电路复杂度的提高，半导体元器件也变得更容易受各种缺陷所影响，而单个元器件如晶体管或者存储单元的失效，往往会导致整个集成电路的功能缺陷。常见的解决方法是在集成电路中形成一些可以熔断的连接线，也就是熔丝(fuse)结构，以确保集成电路的可用性。一般而言，熔丝结构用于连接集成电路中的冗余电路(redundancy circuit)，在电路出现缺陷时，将熔丝熔断，使用冗余电路来修复或取代出现缺陷的电路。熔丝结构经常用于内存中，在内存芯片生产完成时，若其中有部分存储单元出现功能问题，就可以通过熔丝结构用冗余的存储单元来取代，实现修复的目的。另外，熔丝结构还常见于可编程电路中，根据用户需要，使用熔丝结构对电路中的标准逻辑单元进行编程，用以实现特定的功能。现有的熔丝结构的制作方法请参考图1 图5所示。首先，请参考图1，提供半导体衬底100，所述半导体衬底100上形成有第一介质层101和多晶硅层102，所述多晶硅层 102采用形成晶体管的多晶硅层，所述多晶硅层102与所述第一介质层101齐平。然后，请参考图2，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴金刚，黄晓辉，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：