光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法。该光刻胶图案的形成方法包括：在金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括保留区域和去除区域的光刻胶图案；对形成所述图案的光刻胶进行加热处理，以使得所述光刻胶流至待保护的膜层区域。该阵列基板的制造方法包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，导电图案包括栅电极、源电极、漏电极、半导体层和像素电极，在形成半导体层图案的过程中，方法还包括：对光刻胶进行加热处理，以使光刻胶流至源电极与漏电极之间的沟道中。本发明专利技术实施例提供的方案，实现了简化工序、降低成本的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。光刻工艺是液晶显示器制造过程中的重要流程。一次光刻工艺是指使用一个掩模板进行一次曝光显影的过程，在此过程中可能包括对衬底基板上膜层的多次刻蚀。在刻蚀的过程中，光刻胶会形成包括保留区域和去除区域的光刻胶图案。对于去除区域的光刻胶图案，便无法继续保护其下方的金属薄膜。如果期望对某部分光刻胶下方的金属薄膜进行保护，就需要使这一部分的金属薄膜上方的光刻胶处于完全保留区域或者部分保留区域。形成过多的、复杂的保留区域或者部分保留区域的这种情况，无疑会增加掩模板的使用次数，或者利用到昂贵的特殊掩模板，是非常不利于降低生产成本的，所以现在迫切需要一种可以不利用特殊掩模板即可实现对某部分金属薄膜的保护的方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制作方法，以实现在减少光刻工艺次数的基础上降低生产成本。本专利技术实施例提供了一种光刻胶图案的形成方法，包括：在膜层上涂覆光刻胶，并采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成包括保留区域和去除区域的光刻胶图案；对形成所述图案的光刻胶进行加热处理，以使得光刻胶流至待保护的膜层区域。本专利技术提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，所述导电图案包括栅电极、源电极、漏电极、半导体层和像素电极，其中，在形成所述半导体层图案的过程中，所述方法还包括：对光刻胶进行加热处理，以使所述光刻胶流至所述源电极与所述漏电极之间的沟道中。本专利技术提供的光刻胶图案的形成方法和阵列基板的制造方法，通过在形成保留区域和去除区域的光刻胶图案后，对形成上述图案的光刻胶进行加热处理，以使得光刻胶变为流体后流至待保护的膜层区域，以起到对某一部分处于去除区域的光刻胶下方的膜层再次受到光刻胶的保护，解决了需要使用半曝光工艺及特殊掩模板所带来的生产成本提高等问题，实现了简化工序、降低成本的目的。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的光刻胶图案的形成方法的流程图；图2A为根据本专利技术实施例提供的阵列基板的制造方法生产出的阵列基板的局部俯视结构示意图；图2B为图2A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图；图3A至图3J为根据本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法制造阵列基板的过程中沿图2A中A-A线的侧视剖切结构示意图。附图标记：1-衬底基板；      2-栅线；           3-栅电极；4-栅绝缘层；      5-数据线；         6-半导体层；61-本征半导体层； 62-重掺杂半导体层；7-源电极；8-漏电极；        9-钝化层；         10-钝化层过孔；11-像素电极；  12-公共电极线；     13-沟道；14-光刻胶；    15-数据线金属薄膜； 30-像素区域；40-接口区域。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例一提供了一种光刻胶图案的形成方法，其流程图如图1所示，该方法包括：101：在膜层上涂覆光刻胶，并采用掩模板对光刻胶进行曝光显影，形成包括保留区域和去除区域的光刻胶图案；其中，基于所采用的掩模板的不同，保留区域可以为完全保留区域，和/或，部分保留区域。102：对形成上述图案的光刻胶进行加热处理，以使得光刻胶流至待保护的膜层区域。其中，可以将光刻胶加热到50至200摄氏度之间，以使得光刻胶呈流体状，这种情况下，可以呈现一种渐变的光刻胶形态，从而对应于渐变的保留区域和去除区域，进而形成特殊掩模板都无法形成的光刻胶图案。本专利技术实施例提供了一种光刻胶的形成方法，通过在形成保留区域和去除区域的光刻胶图案后，对形成上述图案的光刻胶进行加热处理，以使得光刻胶变为流体后流至待保护的膜层区域，以起到对某一部分处于去除区域的光刻胶下方的膜层再次受到光刻胶的保护，解决了需要使用半曝光工艺及特殊掩模板所带来的生产成本提高等问题，实现了简化工序、降低成本的目的。实施例二本专利技术实施例二提供了一种阵列基板的制造方法，假设利用该阵列基板的制造方法生产出的阵列基板的局部俯视结构示意图可以如图2A所示。图2B为图2A中沿A-A线的侧视剖切结构示意图。该阵列基板的制造方法包括在衬底基板1上形成导电图案和绝缘层图案的步骤，其中的导电图案可以包括栅电极3、源电极7、漏电极8、半导体层6和像素电极11。其中，在形成半导体层6的图案过程中，该阵列基板的制造方法还包括：对光刻胶进行加热处理，以使光刻胶流至源电极7与漏电极8之间的沟道13中。本实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在形成半导体层图案的过程中对光刻胶进行热处理，使得光刻胶在高温状态下变为流体流至沟道，有效保护了有源层薄膜中的本征半导体层，克服了4次光刻中需要使用半曝光工艺及特殊掩模板所带来的生产成本提高等问题，实现了简化工序、降低成本的目的。实施例三本专利技术实施例三提供了一种阵列基板的制造方法，假设利用该阵列基板的制造方法生产出的阵列基板的局部俯视结构示意图可以如图2A所示，下面结合附图对该阵列基板的制造方法进行说明。图3A至图3J根据本专利技术实施例三提供的阵列基板的制造方法制造阵列基板的过程中沿图2A中A-A线的侧视剖切结构示意图。如图3A所示，在衬底基板1上沉积栅金属薄膜，并采用第一块单色调掩膜板，通过构图工艺刻蚀该栅金属薄膜，形成包括栅线2和栅电极3的图案。如图3B所示，在形成栅线2和栅电极3图案的衬底基板1上通过等离子体化学沉积或其他方式沉积形成栅绝缘层4、半导体层薄膜和数据线金属薄膜15。其中的半导体层薄膜包括本征半导体层61和重掺杂半导体层62。如图3C所示，在已形成的本征半导体层61、重掺杂半导体层62和数据线金属薄膜15的衬底基板1上涂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻胶图案的形成方法，其特征在于，包括：
在膜层上涂覆光刻胶，并采用掩模板对所述光刻胶进行曝光显影，形成
包括保留区域和去除区域的光刻胶图案；
对形成所述图案的光刻胶进行加热处理，以使得光刻胶流至待保护的膜
层区域。
2.根据权利要求1所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所述保
留区域包括：完全保留区域和/或部分保留区域。
3.根据权利要求1或2所述的光刻胶图案的形成方法，其特征在于，所
述对形成所述图案的光刻胶进行加热处理，包括：
将所述光刻胶加热到50至200摄氏度之间，使得所述光刻胶呈流体状。
4.一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层
的步骤，所述导电图案包括栅电极、源电极、漏电极、半导体层和像素电极，
其特征在于，在形成所述半导体层图案的过程中，所述方法还包括：
对光刻胶进行加热处理，以使所述光刻胶流至所述源电极与所述漏电极
之间的沟道中。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导
体层包括重掺杂半导体层和本征半导体层，相应的，所述形成所述半导体层
图案包括：
采用单色调掩模板，通过构图工艺刻蚀所述半导体层中的重掺杂半导体
层和本征半导体层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形
成所述半导体层图案过程中，对光刻胶进行加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：储培鸣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：