建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法技术

本发明专利技术一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法，包括：在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅，其中，对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备，在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽，并进行曝光，对已所形成的沟槽进行填充物的填充，在进行对氮化硅上的填充物进行化学研磨，之后对氮化硅进行刻蚀，并完全去除氮化硅。发明专利技术一种建立有源区氮化硅膜应用数据库的工艺方法，有效的利用改变氮化硅的厚度、填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度以及对氮化硅的刻蚀时间，来实现彻底去除基底层上多余的氮化硅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种工艺处理方法，尤其涉及一种。
技术介绍
现有的很多FAB厂内，因为不同产品、不同客户、不同应用以及采购等因素，会有不同机型的氮化硅沉积设备存在。因为不同机型的设备生产出来的氮化硅薄膜有差异，所以大部分FAB采用的都是固定的机型针对固定的应用步骤进行沉积生长，这样造成了少数氮化硅机台产不使用形成浪费，并且不能保证所选用制程为工艺最佳选择。
技术实现思路
专利技术公开了一种用以解决现有技术中对于不同机型的设备生产出来的氮化硅薄膜有差异，造成了少数氮化硅机台产不使用所带来的浪费以及不能保证所选用制程为工艺最佳选择问题。为实现上述目的，专利技术采用的技术方案是，包括在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅，其中，对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备，在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽，并进行曝光，对已所形成的沟槽进行填充物的填充，在进行对氮化硅上的填充物进行化学研磨，之后对氮化硅进行刻蚀，并完全去除氮化硅。上述的工艺方法，其中，在进行以上工艺的过程中，调整所述氮化硅的厚度，对于填充物的化学研磨时间与对氮化硅的刻蚀时间保持不变。上述的工艺方法，其中，在进行以上工艺的过程中，调整所述氮化硅的厚度与氮化硅的刻蚀时间，保证对于填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度不变。上述的工艺方法，其中，保证氮化硅的厚度与填充物的化学研磨时间不变，改变氮化硅的刻蚀时间。本专利技术的，采用了如下方案具有以下效果，利用改变氮化硅的厚度、填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度以及对氮化硅的刻蚀时间，来实现彻底去除基底层上多余的氮化硅。附图说明通过阅读参照如下附图对非限制性实施例所作的详细描述，专利技术的其它特征，目的和优点将会变得更明显。图1为本专利技术一种的氮化硅沉积制备示意图2为本专利技术一种的形成沟槽并填充完成的示意图；图3为本专利技术一种的沟槽填充研磨完成的示意图4为本专利技术一种的氮化硅去除完成的示意图。参看图序基底层1、氮化硅2、沟槽3、薄膜4、填充物5。 具体实施例方式为了使专利技术实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进一步阐述本专利技术。如图1、2、3、4、所示，，包括在每台不同型机台的基底层1上生成氮化硅2，其中，对基底层1上生成的氮化硅2进行薄膜4的沉积自备，在对已经进行过薄膜4自备的氮化硅2上进行刻蚀并形成沟槽3，并进行曝光，对已所形成的沟槽3进行填充物5的填充，在进行对氮化硅2上的填充物6进行化学研磨，之后对氮化硅2进行刻蚀，并完全去除氮化硅。进一步的，在进行以上工艺的过程中，调整氮化硅2的厚度，对于填充物6的化学研磨时间与对氮化硅2的刻蚀时间保持不变。进一步的，如图3所示的氮化硅2为残留的氮化硅厚度2，在进行以上工艺的过程中，调整进行残留的氮化硅厚度2的厚度与氮化硅2的刻蚀时间，保证对于填充物6的化学研磨时间保持不变。进一步的，保证氮化硅2的厚度与填充物6的化学研磨时间不变，改变氮化硅2的刻蚀时间。综上所述，专利技术一种，有效的利用改变氮化硅的厚度、填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度以及对氮化硅的刻蚀时间， 来实现彻底去除基底层上多余的氮化硅。以上对专利技术的具体实施例进行了描述。需要理解的是，专利技术并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施; 本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改，这并不影响专利技术的实质内容。权利要求1.，包括在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅，其特征在于，对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备，在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽，并进行曝光，对已所形成的沟槽进行填充物的填充，在进行对氮化硅上的填充物进行化学研磨，之后对氮化硅进行刻蚀，并完全去除氮化硅。2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在进行以上工艺的过程中，调整所述氮化硅的厚度，对于填充物的化学研磨时间与对氮化硅的刻蚀时间保持不变。3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在进行以上工艺的过程中，调整所述氮化硅的厚度与氮化硅的刻蚀时间，保证对于填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度不变。4.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，保证氮化硅的厚度与填充物的化学研磨时间不变，改变氮化硅的刻蚀时间。全文摘要本专利技术一种，包括在每台不同型机台的基底层上生成氮化硅，其中，对基底层上生成的氮化硅进行薄膜的沉积自备，在对已经进行过薄膜自备的氮化硅上进行刻蚀并形成沟槽，并进行曝光，对已所形成的沟槽进行填充物的填充，在进行对氮化硅上的填充物进行化学研磨，之后对氮化硅进行刻蚀，并完全去除氮化硅。专利技术一种，有效的利用改变氮化硅的厚度、填充物的化学研磨完成后，残留的氮化硅厚度以及对氮化硅的刻蚀时间，来实现彻底去除基底层上多余的氮化硅。文档编号H01L21/3105GK102446743SQ20111026531公开日2012年5月9日 申请日期2011年9月8日 优先权日2011年9月8日专利技术者王智 申请人:上海华力微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王智，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：