一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷制备技术领域，具体公开了一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤，陶瓷原料以重量百分比计，包括如下组分：Si3N4：80-90%，Y2O3：6-14%，α相Al2O3：1-5%，WC：1-5%，TiC：1-5%。该制备方法步骤简单、方便易行，制备工艺稳定，生产效率高，利用该方法制备的结构件陶瓷的硬度大、强度高，并且具有较高的耐高温性能、耐高电压冲击性能以及耐弯曲性能，可广泛用于材料要求高的领域，尤其用于高温陶瓷轴承以及陶瓷涡轮叶片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷制备
，具体公开了。
技术介绍
随着科学技术不断的发展进步，对材料的性能要求也越来越高。氮化硅及其复合陶瓷材料是结构陶瓷中最有前途的一种工程陶瓷材料，具有很好的高强度、高硬度、耐高电压、耐腐蚀、抗热震和抗氧化等多种优异的特性，因此在冶金、化工、石油机械等领域都有广泛的应用前景。在国家颁布的“十二五”规划材料部分中也明确地列出，氮化硅及其复合陶瓷材料成为重点支持产业，如光电行业需耐2万伏电压冲击，同时耐500°C左右高温，钢铁生产行业矿沙、粉料等输送设备，传递带的反冲击板及两侧挡板等需要高硬度耐磨材料，机械、泵业上的高强度柱塞代替硬质合金，轴承行业中耐酸耐碱的要求以及高速轴承中需要的热膨胀系数小的要求等等，氮化硅陶瓷均可以应用于这些领域。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提供，利用该方法制备的结构件陶瓷的强度高、耐高温以及耐高电压冲击，可广泛用于材料要求高的领域，尤其用于高温陶瓷轴承以及陶瓷涡轮叶片。为达到上述目的，本专利技术的技术方案如下:，它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤，陶瓷原料以重量百分比计，包括如下组分:

【技术保护点】
一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤，陶瓷原料以重量百分比计，包括如下组分：

【技术特征摘要】
1.一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，它包括混料、压制、冷等静压、烧结以及后加工的步骤，陶瓷原料以重量百分比计，包括如下组分:SiiN480-90%;Y2O,6-14%;a相 AI2O31-5%;WC1-5%;TIC1-5%。2.根据权利要求1所述的一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，混料方式为球磨混料，混料时，料与球的质量比为1:3。3.根据权利要求2所述的一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，所述球磨混料所采用的溶剂为酒精。4.根据权利要求1所述的一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，球的材质为Si3N4。5.根据权利要求2或3所述的一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，球磨的时间为6-8天,球磨的速度为60-80r/min。6.根据权利要求1 所述的一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，压制是在油压机上用模具成型。7.根据权利要求1所述的一种以氮化硅为原料制备气压烧结结构件陶瓷的方法，其特征在于，冷等静压时，所施加的压力200MPa。8.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：计鸿琪，
申请(专利权)人：昆山申嘉特种陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32