多芯片封装结构及电感芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多芯片封装结构及电感芯片。此多芯片封装结构包括：一载板，一第一芯片，一第二芯片与一第一导线。其中，第一芯片位于载板的一面，且具有一上表面，此上表面具有一第一电性连接点。第二芯片，位于与第一芯片相同的载板面上，且具有一第一电感图案层。第一电感图案层具有至少三个第二电性连接点，用以在第一电感图案层上，定义出至少二个不同的电感值。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术是关于一种芯片封装结构，特别是关于一种具有电感芯片的多芯片封装结构。
技术介绍
当市面上的电子产品，越来越被要求轻薄短小时，其内部的电路，相对地，也必须朝向相同的目标设计。因此为了达到缩小体积与重量的目的，就电路的设计而言，即融入了整合的概念，如此只要使用一个封装结构，就可以达到许多的功能，亦可减少封装的费用与时间。因此，多芯片封装结构，已是许多厂商设计开发的方向。但是目前市面上，发展的多芯片封装，主要是以堆叠的方式，朝垂直的方向将多芯片整合于单一个封装体内。如此一来，除了会增加封装结构的厚度，且此堆叠结构必须另外设计每层芯片间电性连接的方式，更增加了芯片整合的复杂度。在众多电子组件中，电感常被应用于功率转换电路。电感具有能量转换的特性，常常需要与开关电路连结作为其电路上的应用。如图1所示的升压电路(boost circuit)，二极管组件D串连于电感L与开关组件M的连接点与电容C之间。一开始，开关组件M导通 (ON)时，电感L处于充电的状态(储存能量)。随后，当开关组件M关断(OFF)时，因为电感L具有电流续流的特性，电流仍维持于原来的流向，此时，电感L处于放电的状态，将其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙上欣，
申请(专利权)人：登丰微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：