BiCMOS工艺中的PN结变容器及制造方法技术

本发明专利技术公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使P型区的锗硅层为多晶结构，从而能提高P型区的掺杂浓度，提高器件正向偏置时的电子发射效率。本发明专利技术采用了先进的深孔接触工艺和N型赝埋层的工艺，能极大地节省有源区的面积，有源区的宽度能够缩小至0.3微米，能使有源区两侧的N型赝埋层更加充分的连接，从而能降低器件的寄生NP结效应，以及减少器件的N端连接电阻，提高电流密度。本发明专利技术还公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，本专利技术还涉及一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。
技术介绍
现有BiCMOS工艺中的变容器的P端用单晶硅扩散工艺形成，N端的引出通常需要经过浅槽隔离(STI)底下的埋层或者阱和与之相连的有源区来实现。这样的做法是由其器件的垂直结构特点所决定的。其缺点是PN结电子发射效率低，器件面积大，连接电阻大。而且引出N端的有源区的存在及其与P端之间必须有STI或者其他场氧来隔离，这也限制了器件尺寸的进一步缩小。现有变容器不适合做高频电路中的输出器件。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，能提高器件正向偏置时的电子发射效率，能有效地缩小器件面积、减小器件的寄生效应、减小器件的 N端的连接电阻、提高器件的电流密度。本专利技术还提供一种BiCMOS工艺中的PN结变容器的制造方法。为解决上述技术问题，本专利技术提供的BiCMOS工艺中的PN结变容器形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离即有源区的隔离结构为浅沟槽隔离(STI)，包括一 N型区，由形成于所述有源本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈帆，陈雄斌，薛恺，周克然，潘嘉，李昊，蔡莹，陈曦，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：