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本发明公开了一种BiCMOS工艺中的PN结变容器，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使P型区的锗硅层为多晶结构，从而能提高P型区的掺杂浓度，提高器件正向偏置时的电子发射效率。本发明采用了先进的深孔接触工艺和N型赝埋层的工艺，能极...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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