叠层和集成电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及叠层和集成电路装置。在各个实施例中，提供了一种叠层。该叠层可以包括：载体；设置在载体上方的第一金属；设置在第一金属上方的第二金属；以及设置在第二金属之上的焊料材料，或者提供到由外部源供应的焊料的接触的材料。第二金属可以具有至少1800℃的熔化温度并且在焊接工艺期间和在焊接工艺之后中的至少一个中不溶解到或者基本上不溶解到焊料材料中。

【技术实现步骤摘要】

各个实施例通常涉及叠层(layer stack)和集成电路装置。
技术介绍
在包括金属化叠层(例如由铝(Al)/钛(Ti)/镍(Ni)钒(V)/银(Ag)制成的背侧金属化)和焊料系统(例如共晶银锡(AgSn))的常规焊接系统中，在应用焊接工艺之后将该系统暴露于高湿度和高温度(例如H3TRB方法)可能导致空隙和腐蚀，这造成该系统的层离。 这可能归因于以下原因如果在焊接工艺期间或者在后续的工艺中，Ag层和NiV层溶解到共晶焊料材料中，(例如在Ti层与共晶富Sn和Ag相之间的界面处形成TixSnyz(Me=金属)相。在该金属间相处，材料系统可能层离)。常规上设法通过增加NiV层厚度(例如Al/Ti/NiV/Ag背侧金属化)来避免这种情形。这延长了共晶焊料(例如主要成分为Sn和Ag)对NiV层的完全消耗。可以避免可能造成层离的金属间TixSnyz相的形成，因为共晶富Sn焊料可以不再与Ti层的Ti达到直接物理接触。然而，NiV层的层厚度的增加对用于沉积NiV层的沉积工艺以及对后续的工艺提出很高的需求。增加的沉积时间和工艺温度可以不仅导致增加的机器保持时间和材料成本，而且它们也可以产生更高的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：M哈里森，E纳佩奇尼希，A普加乔，T施密特，F施托伊克勒，
申请(专利权)人：M哈里森，E纳佩奇尼希，A普加乔，T施密特，F施托伊克勒，
类型：发明
国别省市：