等离子显示屏及制作方法技术

技术编号:7210015 阅读:246 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种等离子显示屏及保护层的制作方法。该显示屏包括相对封接的上基板和下基板,上基板上依次设置有放电电极、介质层和保护层,保护层包括氧化镁形成的第一保护层和覆盖在其上的第二保护层,第二保护层包括碱土金属氧化物和二氧化硅/二氧化钛。采用本发明专利技术的技术方案,通过在氧化镁膜层上蒸镀第二保护层,使得氧化镁的晶体结构中掺入了少量的掺杂原子,掺杂原子替代氧化镁中的原子后,增大了晶体的扩散系数,使得这种含有掺杂原子的晶体结构的扩散系数比大于单一原子的晶体自扩散系数,电子运动的速度加快和数目增大,增加了二次电子的发射系数,降低了PDP的工作电压,进一步减小了放电延迟时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子显示屏领域,具体而言,涉及一种。
技术介绍
通用的交流气体放电等离子显示屏均采用表面放电型结构,该结构包括一个上基板及与之封接在一起的下基板。上基板上配置有透明电极ITO和汇流电极,透明电极和汇流电极构成放电电极。放电电极又分为维持放电电极X和扫描放电电极Y,在放电电极的表面覆盖有一层介质层,介质层上覆盖保护层,用作保护层的通常为氧化镁膜。下基板上配置有与放电电极相互垂直的寻址电极,寻址电极上覆盖一层介质层,介质层上配置有与其寻址电极平行的条状障壁,且在条状障壁的底部覆盖有荧光粉层,上下基板用低熔点玻璃粉封接在一起,并且在其间充有放电气体。目前,为了提高等离子显示屏的产品质量,提高等离子显示屏的光效,降低其工作电压,通常在放电电极表面的介质层上覆盖一层氧化镁保护层。通常的做法是用电子束蒸镀的方法,所用的蒸镀设备见图1所示,蒸镀设备包括两个托盘,每个托盘上设置有需要蒸镀的材料,这里指氧化镁材料,通过电子枪发射出的电子束打击位于托盘上的氧化镁材料, 使其变成雾状的氧化镁微粒,这样就在位于托盘上方的PDP上基板的介质层表面形成一层氧化镁膜,该氧化镁膜对介质层具有很好的保护效果,而且能产生大量的二次电子,可降低屏的着火电压,减小放电延迟时间。但是,随着全高清电视的出现,PDP显示屏的像素节距越来越小,造成的直接影响是屏的放电空间减少,亮度降低,又因行数增加,需要进一步减少放电延迟时间,仅仅在介质层上覆盖一层氧化镁保护层所达到的效果已不能满足全高清PDP显示屏的质量要求。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种PDP显示屏及制备方法,以达到增加二次电子发射系数,进一步降低PDP工作电压,减小放电延迟时间的目的。为了实现上述效果,根据本专利技术的一个方面,提供了一种等离子显示屏,包括相对封接的上基板和下基板,上基板上依次设置有放电电极、介质层及保护层,该保护层包括 第一保护层,由氧化镁形成;以及第二保护层,覆盖在第一保护层上,第二保护层包括碱土金属氧化物和二氧化硅/二氧化钛。进一步地,第二保护层包括质量百分含量为83% -94%的氧化锶和6% -17%的二氧化硅。进一步地,第二保护层包括质量百分含量为60% -75%的氧化钙和25% -40%的二氧化钛。进一步地,第二保护层的面积为第一保护层面积的3% -15%。进一步地,第二保护层覆盖在第一保护层对应各发光单元的点火位置。根据本专利技术的另一个方面,提供了具有上述任一种保护层的等离子显示屏的制作方法,该方法包括设置上基板,在上基板上依次设置放电电极和介质层;在介质层上设置保护层的步骤包括采用蒸镀法形成氧化镁第一保护层;设置定向遮挡板;以及采用蒸镀法形成第二保护层,第二保护层包括碱土金属氧化物和二氧化硅/ 二氧化钛。进一步地,在定向遮挡板上设置有定向通孔,使得形成第二保护层的面积为第一保护层面积的3% -15%。进一步地,定向遮挡板上设置有定向通孔,使得第二保护层覆盖在第一保护层对应各发光单元的点火位置。进一步地,第二保护层包括质量百分含量为83% -94%的氧化锶和6% -17%的二氧化硅,第二保护层的形成包括以下步骤腔体中抽真空1.9X10_4Pa-7.6X10_Va的条件下,同时温度上升到290°C -310°C;通入氧气使真空度降到2. 8X10_2Pa,再加水蒸气使真空度降到5. IXlO-2Pa ;蒸镀时基板运动速度为420mm/秒;控制所述第二保护层的厚度为 3700 埃。进一步地,第二保护层包括质量百分含量为60% -75%的氧化钙和25% -40%的二氧化钛,第二保护层的形成包括以下步骤在腔体中抽真空3. 5X ΙΟ"4 Pa-5.6X10-4Pa的条件下,同时温度上升到360°C -372°C ;通入氧气使真空度降到2. 7X 10_2Pa-3. 8X KT2Pa ; 蒸镀时基板的运动速度为IOOOmm/秒IlOOmm/秒;控制第二保护层的厚度为5500埃-6000埃。通过在氧化镁膜层上蒸镀第二保护层,使得氧化镁的晶体结构掺入少量的掺杂原子,掺杂原子替代氧化镁中的原子后,增大了晶体的扩散系数,使得这种含有掺杂原子的晶体结构的扩散系数比只有单一原子的晶体自扩散系数大,因此电子运动的速度加快,同时电子数目增大,增加了二次电子的发射系数,降低了 PDP的工作电压,进一步减小了放电延迟时间。优选第二保护层的面积为第一保护层面积的3% _15%,若覆盖太多同样会降低二次电子发射,影响屏的透过率进而影响器件的效果。附图说明说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本专利技术的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中图1示出了根据本专利技术实施例制备保护层时所用的蒸镀设备的结构示意图;图2示出了根据本专利技术又一实施例中制备保护层时所用蒸镀设备的结构示意图; 以及图3示出了根据本专利技术的定向遮挡板上定向通孔的位置示意图。 具体实施例方式需要说明的是,在不冲突的情况下,本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。根据本专利技术一种典型的实施方式,提供一种等离子显示屏。该等离子显示屏包括相对封接的上基板和下基板,上基板上依次设置有放电电极、介质层及保护层,该保护层分两层,第一保护层由氧化镁直接形成在介质层上;以及第二保护层,覆盖在第一保护层上, 第二保护层包括碱土金属氧化物和二氧化硅/二氧化钛。现有技术只是在介质层上形成了第一层氧化镁保护层,虽然也能对介质层起到保护作用,降低屏的着火电压和减小延迟时间,但是随着要求的提高这些技术还远远不够。本专利技术的等离子显示屏通过在氧化镁膜层上蒸镀第二保护层,使得氧化镁的晶体结构掺入少量的掺杂原子,掺杂原子替代氧化镁中的原子后,增大了晶体的扩散系数,使得这种含有掺杂原子的晶体结构的扩散系数比只有单一原子的晶体自扩散系数大,因此电子运动的速度加快,同时电子数目增大,增加了二次电子的发射系数,降低了 PDP的工作电压,进一步减小了放电延迟时间。第二保护层可以包括碱土金属氧化物和二氧化硅/ 二氧化钛,但不局限于碱土金属氧化物和二氧化硅/二氧化钛只要能够使掺杂原子替代氧化镁中的原子后,增大了晶体的扩散系数即可。优选地,第二保护层的材料包括质量百分含量为83% -94%的氧化锶和 6% -17%的二氧化硅,因为氧化锶可增加二次电子发射系数,二氧化硅具有减少放电延迟时间的效果,所以具有降低屏着火电压的优点。第二保护层的材料也可以是包括质量百分含量为60% -75%的氧化钙和25% -40%的二氧化钛,因为氧化钙可以增加二次电子发射系数,使屏图像画面更清晰。根据本专利技术一种典型的实施方式,第二保护层的面积为第一保护层面积的 3% _15%。以这种覆盖面积可以更好的达到降低屏着火电压的效果,降低屏模组的制造成本,同时节省能耗。第二保护层可以覆盖在第一保护层的任何位置,只要能够达到增加了二次电子的发射系数,降低PDP工作电压和进一步减小放电延迟时间的效果即可。优选地,第二保护层的覆盖在第一保护层对应各发光单元的点火位置。这样可以使等离子显示屏的着火电压降至最低。根据本专利技术的另一个方面,提供一种具有上述任一种第二保护层的等离子显示屏的制造方法。该方法包括设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子显示屏,包括相对封接的上基板和下基板,所述上基板上依次设置有放电电极、介质层及保护层,其特征在于,所述保护层包括:第一保护层,由氧化镁形成;以及第二保护层,覆盖在所述第一保护层上;其中所述第二保护层由碱土金属氧化物和二氧化硅/二氧化钛组成。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹瑞林
申请(专利权)人:四川虹欧显示器件有限公司
类型:发明
国别省市:51

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