等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏技术

本发明专利技术提供了一种等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏。该制作方法包括以下步骤：1)在介质层上布置晶种层；2)在晶种层上形成介质保护膜。根据本发明专利技术的制作方法工艺过程简单，采用现有设备即可实施，而且，得到的介质保护膜的晶粒较大、结晶度更高，含有其的等离子显示屏具有更低的放电电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及气体放电
，具体而言涉及一种等离子显示屏的介质保护膜及其制作方法和含有其的等离子显示屏。
技术介绍
等离子体显示器是一种利用气体放电产生紫外线，进而激发荧光粉发出可见光而显像的一种显示器。等离子显示屏是实现放电发光的主要结构，其由前后两个基板组成。 在前基板上，设置有横向维持电极和扫描电极、以及之上的介质层和介质保护膜；在后基板上，设置有纵向的寻址电极和障壁结构，放电发生在前后基板及障壁所组成的空间内。等离子显示屏的放电性能决定着等离子显示屏的亮度、光效、功耗等指标，而提高放电性能的主要手段是提高等离子显示屏介质保护膜的性能。当前，等离子体显示屏介质保护膜最为成熟的材料为MgO，其具有耐溅射性能优良、电阻率高、二次电子发射系数高、高可见光透过率等特点。该介质保护膜能够有效保护前基板的电极和介质层、延长等离子显示屏的使用寿命、存储壁电荷、发挥内存效果、降低电压、限制放电电流，从而改善等离子显示屏的放电性能。通常评价作为保护膜的氧化镁层，其结晶性与晶粒大小是关键的指标，结晶性越好，晶粒越大，其发射二次电子的能力及抗离子溅射的能力就越强，使用其的等离子显示屏的放电电压越低。但是现有技术得到的氧化镁层的结晶度以及晶粒都存在一定缺陷，不能满足等离子显示屏对放电电压越来越高的要求，因此，亟需一种高结晶度大晶粒的氧化镁层作为介质保护膜。
技术实现思路
本专利技术旨在提供等离子显示屏的介质保护膜，以解决现有技术中介质保护膜的结晶度低、晶粒小导致等离子显示屏的放电电压高的问题。根据本专利技术的一个方面，提供了一种等离子显示屏介质保护膜的制作方法，包括以下步骤1)在介质层上形成晶种层；幻在晶种层上形成介质保护膜。进一步地，上述形成晶种层的方法包括将晶种通过浆料涂布、喷涂、静电吸附、物理摩擦或化学反应生成形成在介质层上。进一步地，上述形成介质保护膜的方法是将介质保护膜材料通过真空沉积法形成在晶种层上。进一步地，上述晶种包括MgO单晶颗粒；掺杂型MgO晶体，其中，掺杂元素包括 Ca、Zn、Si、SC、Ti和Ni中的一种或多种，掺杂型MgO晶体为物理混合物、固溶体或合金；或者选自由碳纳米管、ZnO、BeO, CaO、SrO, BaO, La205、LaB6、Mo和W组成的组中的任意一种或多种。进一步地，上述真空沉积法包括电子束蒸镀法、离子镀法、溅射法和化学气相沉积法。进一步地，上述晶种的粒径为5 lOOOnm，晶种层的厚度为10 lOOOnm，覆盖度为 0. 1 100%。进一步地，上述介质保护膜的厚度为50 lOOOnm。根据本专利技术的另一方面，还提供了一种等离子显示屏的介质保护膜，介质保护膜通过上述制作方法得到。根据本专利技术的又一方面，还提供了一种等离子显示屏，包括前基板、PDP放电电极和后基板，前基板包含上述介质保护膜。本专利技术达到的技术效果根据本专利技术的制作方法工艺过程简单，按照现有设备即可实施，而且，得到的介质保护膜的晶粒较大、结晶度更高，含有其的等离子显示屏具有更低的放电电压。除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。 下面将参照图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。附图说明说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中图1示出了根据本专利技术实施例1-5和对比例1的等离子显示屏的最小着火电压与老练时间的关系曲线图2示出了根据本专利技术实施例1-5和对比例1的等离子显示屏的最大灭火电压与老练时间的关系曲线图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术的实施例中的技术方案进行详细的说明，但如下实施例以及附图仅是用以理解本专利技术，而不能限制本专利技术，本专利技术可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。在本专利技术的一种典型的实施方式中，提供了一种等离子显示屏介质保护膜的制作方法，包括以下步骤1)在介质层上形成晶种层；幻在晶种层上形成介质保护膜。这种保护膜的制作方法在介质层上布置晶种，形成晶种层，介质保护膜的材料在晶种的引发下可以形成结晶度较高的介质保护膜。优选地，形成晶种层的方法包括将晶种通过浆料涂布、喷涂、静电吸附、物理摩擦或化学反应生成等方式布置在介质层上。利用现有设备就可以将晶种布置在介质层，这就使得整个工艺过程操作简单，可实现性高，而且晶种均勻分布在介质层上，充分发挥晶种的引发作用使介质保护膜均勻生长。优选地，布置介质保护膜的方法是将介质保护膜材料通过真空沉积法形成在晶种层上。真空沉积法形成的晶种层缺陷密度低，化学稳定性好。优选地，可用于本专利技术的真空沉积法包括并不限于电子束蒸镀法、离子束蒸镀法、溅射法和化学气相沉积法。本专利技术晶种层的晶种主要作用是引发介质保护膜的形成，因此一般选用能够引发介质保护膜材料结晶的物质，而且，如果晶种结构与介质保护膜材料结构相同或相似，得到的介质保护膜的表面平整度以及结晶度都较好，因此可用于本专利技术的晶种包括但不限于 MgO单晶颗粒；掺杂其他元素的掺杂型MgO晶体，其中，可掺杂的元素包括Ca、Zn、Si、Sc、T i 和Ni，掺杂型MgO晶体可以是物理混合物、固溶体或者合金；本专利技术提供的晶体还可以选自碳纳米管、ZnO, BeO, CaO, SrO, BaO, La2O5, LaB6, Mo和W组成的组中的任意一种或多种。可用于本专利技术的真空沉积法包括但不限于电子束蒸镀法、离子束蒸镀法、溅射法和化学气相沉积法。以上几种方法为镀膜领域中常规的实现方法，使得本专利技术易于在原有设备上实现。本专利技术晶种的粒径为5 lOOOnm，晶种层的厚度为10 lOOOnm，覆盖度为0. 1 100%。因为粒径和结晶度是评价介质保护膜的关键指标，晶粒越大，结晶性越好，介质保护膜发射二次电子的能力及抗离子溅射的能力就越强，因此在形成晶种层时，选择粒径为 5 lOOOnm，粒径足够大；而且，晶种层的厚度若小于lOnm，晶种层太薄不足以引发介质保护膜材料形成均勻的介质保护膜，然而当晶种层厚度大于IOOOnm时，晶种层太厚，影响所形成的等离子显示屏的光效；晶种层的覆盖度在0. 1 100%之间都可以实现晶种的引发作用，只是随着晶种层覆盖度的增大由此引发得到的介质保护膜的结晶度越高。本专利技术介质保护膜的厚度为50 lOOOnm。在晶种的引发下形成的介质保护膜不仅结晶度高，而且其厚度可以控制在50 IOOOnm之间，既可以起到保护介质的作用，又不影响可见光透过率。在本专利技术的另一种典型的实施方式中，还提供了一种等离子显示屏的介质保护膜，介质保护膜通过上述制作方法得到。通过本专利技术的方法得到的介质保护膜，保护膜的结晶度价高，晶粒较大，发射二次电子的能力及抗离子溅射的能力较强。在本专利技术的又一种典型的实施方式中，，还提供了一种等离子显示屏，包括前基板、PDP放电电极和后基板，前基板包含上述介质保护膜。通过本专利技术得到的等离子显示屏由于含有本专利技术的介质保护膜具有较低的放电电压。以下将结合实施例1-5和对比例1，进一步说明采用本专利技术的有益效果。实施例1晶种层的晶种采用MgO单晶颗粒，粒径为900士 lOOnm，介质保护膜的的材料也采用单晶MgO颗粒。制作前基板将MgO单晶颗粒喷涂在等离子显示屏前基板的介质层上，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邢芳丽，罗向辉，
申请(专利权)人：四川虹欧显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：