一种Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法。通过脉冲激光沉积的方法制备的Al掺杂的氧化锌薄膜具有良好的c轴外延生长结构，表面质量较好，厚度为430nm。本发明专利技术的Al掺杂的氧化锌薄膜由于制备过程中引入了一层非晶SiO2过渡层既能够减小薄膜和Si衬底由于晶格失配而产生的应力，又能有效减少Si表面态的影响，从而改善Al掺杂的氧化锌薄膜的微结构和透明导电性能。另外，由于Al掺杂的氧化锌薄膜中Al的掺入所形成的缺陷对载流子的俘获与ZO薄膜相比更有效，Al原子的引入改变了电荷载流子俘获的途径，且在很大程度上将会降低激发态的寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池领域中的透明导电膜。具体涉及Al掺杂的氧化锌薄膜材料及其制备方法。
技术介绍
近年来，短波长激光器成为半导体激光器研究的一个热点，如Sise基量子阱激光器。由于其寿命较短，需要进一步提高，但是难度很大，是一种离子性很强的晶体，高而造成缺陷的大量增加。容易产生损伤，在受激发射运行时，主要是在于Sise容易因温度的升 GaN系列激光器己经走向实用化，但是GaN的制备设备昂贵，缺少合适的衬底材料，薄膜生长难度也较大，再加上GaN在地球上含量不够丰富，人们希望能找到GaN材料替代产品。ZnO 由于具有和GaN相似的晶格结构，其禁带宽度比较接近，对衬底没有苛刻的要求，而且很容易成膜，是最好的替代物。同时，半导体激光器作为信息技术的关键部件使得以光盘为主的信息存储技术及复印技术不断更新换代。对于光盘存储技术，光盘的信息存储密度反比于激光束聚焦后光束的直径，而该直径又正比于激光的波长。因此，为提高光信息存储密度，应使用波长尽可能短的激光器。ZnO室温下的禁带宽度为3. 37eV,Zn0的激子束缚能为 60meV，比室温离化能^meV大很多，具备了室温下发射紫外光的必要本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种Ａｌ掺杂的氧化锌薄膜，其特征在于其中Ａｌ、Ｚｎ元素的摩尔比即Ａｌ：Ｚｎ为０．０２～０．０３：１，薄膜厚为４３０　ｎｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘永生，彭麟，杨晶晶，房文健，方津，
申请(专利权)人：上海电力学院，
类型：发明
国别省市：31