【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包含一发射极硅层的硅太阳能电池，且涉及一种用于生产这种太阳能电池的方法。
技术介绍
硅太阳能电池包含η型掺杂硅层及ρ型掺杂硅层。若光子撞击太阳能电池的一侧面来充当发射极，则在该两个层之间发生电荷平衡或电流，该电荷平衡或电流可经由触点被传导出。通常将具有许多接触指的由金属组成的接触条施加于这种太阳能电池的顶面， 而一连续金属层在底面上作为触点存在。该接触条及金属区域形成太阳能电池的电极。至今，接触条及金属指已通过银浆料来形成，以印刷方法将该银浆料涂覆于表面。 此处的一不利因素在于因为银浆料以多孔方式结构化，所以由该银浆料形成的电导线具有一相对较高的传导电阻。此外，在银浆料与配置于下部的硅层之间的接触电阻相对较高， 且对基板的黏着力相对较弱。用于改良太阳能电池的另一方法在于增加效率。较高效率可(例如)通过一较小厚度的发射极层来实现。在根据现有技术的太阳能电池的情况下，发射极层的厚度仅为几百纳米。若使用一甚至更薄的发射极层，则尽管可理论上增加该效率，但是金属电导线可穿透该薄的发射极层，从而使这种太阳能电池电短路。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的是...
【技术保护点】
１．一种硅太阳能电池，包含：一硅层，具有一发射极层；及所述发射极层中的至少一个区域，该区域通过化学或电化学蚀刻来多孔化；其中所述多孔化区域的至少一个部分具体表现为金属硅化物，且至少一个金属层被施加于该金属硅化物之上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·贝克尔，D·吕特克诺塔普，
申请(专利权)人：NB技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：DE
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